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K4H280438C-TCB00

产品描述DDR DRAM, 32MX4, 0.75ns, CMOS, PBGA136,
产品类别存储    存储   
文件大小331KB,共54页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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K4H280438C-TCB00概述

DDR DRAM, 32MX4, 0.75ns, CMOS, PBGA136,

K4H280438C-TCB00规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Objectid108998359
包装说明FBGA, BGA136,12X17,32
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
YTEOL2
最长访问时间0.75 ns
最大时钟频率 (fCLK)133 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度2,4,8
JESD-30 代码R-PBGA-B136
内存密度134217728 bit
内存集成电路类型DDR1 DRAM
内存宽度4
湿度敏感等级3
端子数量136
字数33554432 words
字数代码32000000
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织32MX4
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码FBGA
封装等效代码BGA136,12X17,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度)240
电源2.5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期4096
连续突发长度2,4,8
最大待机电流0.004 A
最大压摆率0.315 mA
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
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