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71V3576S150PFGI

产品描述TQFP-100, Tray
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制造商IDT (Integrated Device Technology)
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71V3576S150PFGI概述

TQFP-100, Tray

71V3576S150PFGI规格参数

参数名称属性值
Brand NameIntegrated Device Technology
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码TQFP
包装说明20 X 14 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TQFP-100
针数100
制造商包装代码PKG100
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间3.8 ns
其他特性PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)150 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PQFP-F100
JESD-609代码e3
长度20 mm
内存密度4718592 bit
内存集成电路类型CACHE SRAM
内存宽度36
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量100
字数131072 words
字数代码128000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织128KX36
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码QFF
封装等效代码QFP100,.63X.87
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.6 mm
最大待机电流0.035 A
最小待机电流3.14 V
最大压摆率0.26 mA
最大供电电压 (Vsup)3.465 V
最小供电电压 (Vsup)3.135 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式FLAT
端子节距0.65 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度14 mm
Base Number Matches1

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128K x 36, 256K x 18
3.3V Synchronous SRAMs
3.3V I/O, Pipelined Outputs
Burst Counter, Single Cycle Deselect
71V3576S
71V3578S
Features
128K x 36, 256K x 18 memory configurations
Supports high system speed:
Commercial and Industrial:
– 150MHz 3.8ns clock access time
– 133MHz 4.2ns clock access time
LBO
input selects interleaved or linear burst mode
Self-timed write cycle with global write control (GW), byte write
enable (BWE), and byte writes (BWx)
3.3V core power supply
Power down controlled by ZZ input
3.3V I/O
Packaged in a JEDEC Standard 100-pin plastic thin quad
flatpack (TQFP)
Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available
for selected speeds
Green parts available, see ordering information
Functional Block Diagram
LBO
ADV
CEN
Burst
Sequence
INTERNAL
ADDRESS
CLK
ADSC
ADSP
CLK EN
Binary
Counter
CLR
2
Burst
Logic
17/18
A0*
A1*
Q0
Q1
128K x 36/
256K x 18-
BIT
MEMORY
ARRAY
2
A
0
,A
1
17/18
A
2
–A
17
36/18
36/18
A
0 -
A
16/17
GW
BWE
BW
1
ADDRESS
REGISTER
Byte 1
Write Register
Byte 1
Write Driver
9
Byte 2
Write Register
Byte 2
Write Driver
BW
2
Byte 3
Write Register
9
Byte 3
Write Driver
BW
3
Byte 4
Write Register
9
Byte 4
Write Driver
BW
4
9
OUTPUT
REGISTER
CS
0
CS
1
D
Q
Enable
Register
DATA
INPUT
REGISTER
CLK EN
ZZ
Powerdown
D
Q
Enable
Delay
Register
OE
OUTPUT
BUFFER
OE
I/O
0
— I/O
31
I/O
P1
— I/O
P4
36/18
5279 drw 01
1
May.01.20

71V3576S150PFGI相似产品对比

71V3576S150PFGI 71V3576S150PFG 71V3576S133PFG 71V3578S150PFGI8 71V3576S150PFGI8 71V3578S133PFGI 71V3576S150PFG8 71V3578S150PFG 71V3578S150PFG8
描述 TQFP-100, Tray TQFP-100, Tray TQFP-100, Tray TQFP-100, Reel TQFP-100, Reel TQFP-100, Tray TQFP-100, Reel TQFP-100, Tray TQFP-100, Reel
Brand Name Integrated Device Technology Integrated Device Technology Integrated Device Technology Integrated Device Technology Integrated Device Technology Integrated Device Technology Integrated Device Technology Integrated Device Technology Integrated Device Technology
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合
零件包装代码 TQFP TQFP TQFP TQFP TQFP TQFP TQFP TQFP TQFP
包装说明 20 X 14 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TQFP-100 20 X 14 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TQFP-100 QFF, QFP100,.63X.87 LQFP, QFP100,.63X.87 ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TQFP-100 QFF, QFP100,.63X.87 14 X 20 MM, PLASTIC, TQFP-100 QFF, QFP100,.63X.87 LQFP, QFP100,.63X.87
针数 100 100 100 100 100 100 100 100 100
制造商包装代码 PKG100 PKG100 PKG100 PKG100 PKG100 PKG100 PKG100 PKG100 PKG100
Reach Compliance Code compliant compli compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A
最长访问时间 3.8 ns 3.8 ns 4.2 ns 3.8 ns 3.8 ns 4.2 ns 3.8 ns 3.8 ns 3.8 ns
其他特性 PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK) 150 MHz 150 MHz 133 MHz 150 MHz 150 MHz 133 MHz 150 MHz 150 MHz 150 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PQFP-F100 R-PQFP-F100 R-PQFP-F100 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100 R-PQFP-F100 R-PQFP-G100 R-PQFP-F100 R-PQFP-G100
JESD-609代码 e3 e3 e3 e3 e3 e3 e3 e3 e3
内存密度 4718592 bit 4718592 bi 4718592 bit 4718592 bit 4718592 bit 4718592 bit 4718592 bit 4718592 bit 4718592 bit
内存集成电路类型 CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM
内存宽度 36 36 36 18 36 18 36 18 18
湿度敏感等级 3 3 3 3 3 3 3 3 3
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 100 100 100 100 100 100 100 100 100
字数 131072 words 131072 words 131072 words 262144 words 131072 words 262144 words 131072 words 262144 words 262144 words
字数代码 128000 128000 128000 256000 128000 256000 128000 256000 256000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 70 °C 70 °C 85 °C 85 °C 85 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 128KX36 128KX36 128KX36 256KX18 128KX36 256KX18 128KX36 256KX18 256KX18
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 QFF QFF QFF LQFP QFP QFF LQFP QFF LQFP
封装等效代码 QFP100,.63X.87 QFP100,.63X.87 QFP100,.63X.87 QFP100,.63X.87 QFP100,.63X.87 QFP100,.63X.87 QFP100,.63X.87 QFP100,.63X.87 QFP100,.63X.87
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLATPACK FLATPACK FLATPACK FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK FLATPACK FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 260 260 260 260 260 260 260
电源 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大待机电流 0.035 A 0.03 A 0.03 A 0.035 A 0.035 A 0.035 A 0.03 A 0.03 A 0.03 A
最小待机电流 3.14 V 3.14 V 3.14 V 3.14 V 3.14 V 3.14 V 3.14 V 3.14 V 3.14 V
最大压摆率 0.26 mA 0.295 mA 0.25 mA 0.305 mA 0.26 mA 0.26 mA 0.295 mA 0.295 mA 0.295 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.465 V 3.465 V 3.465 V 3.465 V 3.465 V 3.465 V 3.465 V 3.465 V 3.465 V
最小供电电压 (Vsup) 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL COMMERCIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Matte Tin (Sn) - annealed Matte Tin (Sn) - annealed Matte Tin (Sn) - annealed Matte Tin (Sn) - annealed Matte Tin (Sn) - annealed Matte Tin (Sn) - annealed Matte Tin (Sn) - annealed Matte Tin (Sn) - annealed Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式 FLAT FLAT FLAT GULL WING GULL WING FLAT GULL WING FLAT GULL WING
端子节距 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm 0.635 mm 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm
端子位置 QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30 30 30 30 30 30 30 30
长度 20 mm 20 mm 20 mm 20 mm - 20 mm 20 mm 20 mm 20 mm
座面最大高度 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm - 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm
宽度 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm - 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1 1 - -
厂商名称 - - IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) - IDT (Integrated Device Technology) - IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology)
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