EEPROM, 32KX8, 250ns, Parallel, CMOS, CQCC32, LCC-32
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | APTA Group Inc |
| 包装说明 | QCCJ, LCC32,.45X.55 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 最长访问时间 | 250 ns |
| 命令用户界面 | NO |
| 数据轮询 | YES |
| 耐久性 | 10000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码 | R-CQCC-J32 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 内存密度 | 262144 bit |
| 内存集成电路类型 | EEPROM |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 32 |
| 字数 | 32768 words |
| 字数代码 | 32000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 32KX8 |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | QCCJ |
| 封装等效代码 | LCC32,.45X.55 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER |
| 页面大小 | 64 words |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 电源 | 5 V |
| 编程电压 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 4.574 mm |
| 最大待机电流 | 0.0003 A |
| 最大压摆率 | 0.08 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | J BEND |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | QUAD |
| 切换位 | YES |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 12 ms |
| Base Number Matches | 1 |
| MEM832J-25 | MEM832J-20 | |
|---|---|---|
| 描述 | EEPROM, 32KX8, 250ns, Parallel, CMOS, CQCC32, LCC-32 | EEPROM, 32KX8, 200ns, Parallel, CMOS, CQCC32, LCC-32 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
| 包装说明 | QCCJ, LCC32,.45X.55 | QCCJ, LCC32,.45X.55 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown |
| 最长访问时间 | 250 ns | 200 ns |
| 命令用户界面 | NO | NO |
| 数据轮询 | YES | YES |
| 耐久性 | 10000 Write/Erase Cycles | 10000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码 | R-CQCC-J32 | R-CQCC-J32 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 |
| 内存密度 | 262144 bit | 262144 bit |
| 内存集成电路类型 | EEPROM | EEPROM |
| 内存宽度 | 8 | 8 |
| 功能数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 32 | 32 |
| 字数 | 32768 words | 32768 words |
| 字数代码 | 32000 | 32000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | 32KX8 | 32KX8 |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | QCCJ | QCCJ |
| 封装等效代码 | LCC32,.45X.55 | LCC32,.45X.55 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER |
| 页面大小 | 64 words | 64 words |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL |
| 电源 | 5 V | 5 V |
| 编程电压 | 5 V | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 4.574 mm | 4.574 mm |
| 最大待机电流 | 0.0003 A | 0.0003 A |
| 最大压摆率 | 0.08 mA | 0.08 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | J BEND | J BEND |
| 端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | QUAD | QUAD |
| 切换位 | YES | YES |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 12 ms | 12 ms |
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