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MEM832J-25

产品描述EEPROM, 32KX8, 250ns, Parallel, CMOS, CQCC32, LCC-32
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文件大小722KB,共9页
制造商APTA Group Inc
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MEM832J-25概述

EEPROM, 32KX8, 250ns, Parallel, CMOS, CQCC32, LCC-32

MEM832J-25规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称APTA Group Inc
包装说明QCCJ, LCC32,.45X.55
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间250 ns
命令用户界面NO
数据轮询YES
耐久性10000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-CQCC-J32
JESD-609代码e0
内存密度262144 bit
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数32768 words
字数代码32000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织32KX8
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码QCCJ
封装等效代码LCC32,.45X.55
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
页面大小64 words
并行/串行PARALLEL
电源5 V
编程电压5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度4.574 mm
最大待机电流0.0003 A
最大压摆率0.08 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
切换位YES
最长写入周期时间 (tWC)12 ms
Base Number Matches1

MEM832J-25相似产品对比

MEM832J-25 MEM832J-20
描述 EEPROM, 32KX8, 250ns, Parallel, CMOS, CQCC32, LCC-32 EEPROM, 32KX8, 200ns, Parallel, CMOS, CQCC32, LCC-32
是否Rohs认证 不符合 不符合
包装说明 QCCJ, LCC32,.45X.55 QCCJ, LCC32,.45X.55
Reach Compliance Code unknown unknown
最长访问时间 250 ns 200 ns
命令用户界面 NO NO
数据轮询 YES YES
耐久性 10000 Write/Erase Cycles 10000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码 R-CQCC-J32 R-CQCC-J32
JESD-609代码 e0 e0
内存密度 262144 bit 262144 bit
内存集成电路类型 EEPROM EEPROM
内存宽度 8 8
功能数量 1 1
端子数量 32 32
字数 32768 words 32768 words
字数代码 32000 32000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C
组织 32KX8 32KX8
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码 QCCJ QCCJ
封装等效代码 LCC32,.45X.55 LCC32,.45X.55
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 CHIP CARRIER CHIP CARRIER
页面大小 64 words 64 words
并行/串行 PARALLEL PARALLEL
电源 5 V 5 V
编程电压 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 4.574 mm 4.574 mm
最大待机电流 0.0003 A 0.0003 A
最大压摆率 0.08 mA 0.08 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V
表面贴装 YES YES
技术 CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 J BEND J BEND
端子节距 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 QUAD QUAD
切换位 YES YES
最长写入周期时间 (tWC) 12 ms 12 ms

 
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