Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> GDZJ36D-34T/B

文档预览

GDZJ36D-34T/B: 产品描述Zener Diode, 36V V(Z), 2.52%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-34, ROHS COMPLIANT, GLASS PACKAGE-2; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小102KB，共5页; 制造商强茂(PANJIT); 官网地址http://www.panjit.com.tw/; 标准; PANJIT 是一家全球 IDM，提供广泛的产品组合，包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源，为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

下载文档详细参数全文预览

GDZJ36D-34T/B概述

Zener Diode, 36V V(Z), 2.52%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-34, ROHS COMPLIANT, GLASS PACKAGE-2

GDZJ36D-34T/B规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	强茂(PANJIT)
零件包装代码	DO-34
包装说明	O-LALF-W2
针数	2
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	ZENER DIODE
JEDEC-95代码	DO-34
JESD-30 代码	O-LALF-W2
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	175 °C
封装主体材料	GLASS
封装形状	ROUND
封装形式	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散	0.5 W
标称参考电压	36 V
表面贴装	NO
技术	ZENER
端子形式	WIRE
端子位置	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
最大电压容差	2.52%
Base Number Matches	1

GDZJ36D-34T/B文档预览

下载PDF文档

全文
预览

GDZJ2.0~GDZJ56

AXIAL LEAD ZENER DIODES

VOLTAGE

2.0 to 56 Volts

POWER

500 mWatts

FEATURES

• Planar Die construction

• 500mW Power Dissipation

• Ideally Suited for Automated Assembly Processes

• Lead free in comply with EU RoHS 2002/95/EC directives

0.116(2.9)

0.092(2.3)

1.02(26.0)MIN.

0.018(0.45)

0.014(0.35)

MECHANICAL DATA

• Case: Molded Glass DO-34

• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026

• Approx. Weight: 0.09 grams

• Mounting Position: Any

• Ordering information: Suffix : “ -34 ” to order DO-34 Package

• Packing information

- 2K per Bulk box

T/R - 10K per 13" plastic Reel

T/B - 5K per horiz. tape & Ammo box

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Parameter

Power Dissipation on T

=25

Operating Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

Symbol

1.02(26.0)MIN.

0.087(2.2)

0.067(1.7)

Value

500

Units

TOT

STG

175

-65 to + 175

Valid provided that leads at a distance of 10mm from case are kept at ambient perature.

Parameter

Thermal Resistance

Symbol

Min.

Typ.

Max.

0.3

Units

C/mW

ΘJA

Forward Voltage at I

=100mA

Valid provided that leads at a distance of 10mm from case are kept at ambient perature.

March 15,2012-REV.04

PAGE . 1

推荐资源

与非门设计: 开始第一个实例，新建工程，选择目录，器件，“finish”完成。芯片选择cyclone IV系列EP4CE10F17C8 使用原理图设计文件，file下新建原理图设计文件，下一篇使用源文件输入，进入符号窗口，添 ......; suoma FPGA/CPLD

高效转换的同步回扫电路: 在设计非隔离的降压型稳压器时，降压型稳压器通常是第一选择，除非VIN与VOUT之比大于10、输入电压很高或者两种情况兼而有之。低占空因素对于FET驱动器来说可能是个问题，并会导致电流型控制回路 ......; feifei 模拟电子

TI MSP430的代码保护特性: MSP 微控制器 (MCU) 具备多种特性，可帮助控制器件中的代码可访问性，并增加不同层的代码访问管理和保护策略。这些特性包括：锁定或用密码保护 JTAG/SBW 访问、利用不同于程序其余部分的 ......; 火辣西米秀微控制器 MCU

电路识图5-复杂电路的识图方法: 看复杂电路图应按照从局部到整体、从输入到输出、化整为零、聚零为整的思路和方法进行，用整机电路的工作原理指导单元电路，利用单元电路分析整机工作原理。 http://p3.pstatp.com/large/40300 ......; tiankai001 综合技术交流

详解STM32启动文件: 本文对STM32启动文件startup_stm32f10x_hd.s的代码进行讲解，此文件的代码在任何一个STM32F10x工程中都可以找到。可以点击文末阅读原文直接下载此文件，提取码stm3。启动文件使用的ARM汇编 ......; 可乐zzZ stm32/stm8

仪表放大器应用工程师指南: 文件太大，无法上传，关于仪表放大器器件的一些简单介绍http://www.analog.com/UploadedFiles/Associated_Docs/10568595IN_AMP_GUIDE_Chinese_Rev1.pdf...; soso 模拟电子

四年斩获三项IEEE里程碑奖：意法半导体凭什么？

1799年，AlessandroVolta向世界展示了电能储存技术；一个世纪后，GuglielmoMarconi向世界证明无线电波可以跨洋传输。IEEE里程碑奖正是为纪念这些改变世界的技术突破而设立，提醒我们，当锐意创新、产品化和造福社会融合到一起时，社会进步便会随之而来。2025年6月，意法半导体凭借其革命性的卫星数字广播芯片组荣获第三座IEEE里程碑奖牌。该奖项旨在表彰获...[详细]
Microchip正在好起来

日前，Microchip发布2025年2季度财报，销售额环比增长10.8%。所有地区的净销售额均环比增长，微控制器和模拟业务的销售额均环比增长两位数。库存环比下降1.24亿美元，库存天数为214天。过去两个季度，库存已从266天下降到251天，再下降到214天，预计9月底的库存天数将在195至200天之间。“去年，Microchip的18,000名员...[详细]
奥芯明：AI驱动半导体产业迎来“异构集成”新纪元，先进封装成破局关键

在10月29日至30日于深圳举办的第四届SEMI大湾区产业峰会上ASMPT集团半导体事业部副总裁，奥芯明半导体设备技术有限公司首席商务官、先进封装研发中心负责人薛晗宸先生在开幕式上发表了题为《AI时代对半导体应用及先进封装发展的推动》的演讲，从产业趋势、技术突破、解决方案及本土化实践四大维度，深入剖析了AI如何重构半导体生态，并指出异构集成（HI）将成为后摩尔时代的核心驱动力，为大湾区乃...[详细]
将 TPU AI 芯片带到太空，谷歌启动 Project Suncatcher 研究计划

11月5日消息，谷歌美国当地时间4日宣布正式启动ProjectSuncatcher“太阳捕手”计划，这是谷歌内部继自动驾驶汽车、量子计算等后的又一个moonshots“登月”颠覆性风险创新项目。在这一研究计划的名下，谷歌正在探索发射搭载自研TPUAI芯片的人造卫星，在太空中构建可扩展的计算互联网络，充分利用远多于地球表面的空间太阳能。谷歌计划在2027年初与Plan...[详细]
2nm工艺志在必得日本三大EUV光刻胶巨头巨资扩产

11月3日消息，EUV工艺是5nm节点之后无法绕过的先进工艺，EUV光刻机只有荷兰ASML能产，但日本在EUV光刻胶领域很有优势，针对2nm及以下节点，日本三大化工巨头都在积极扩产。日本半导体材料厂东京应化工业（TokyoOhkaKogyo）日前宣布，将在韩国平泽投资200亿日元，约合1.3亿美元建设光刻胶工厂，预计2030年正式投产。平泽是三星、SK海力士等韩国半导体公司的重要生产基地...[详细]
恩智浦完成对Aviva Links和Kinara的收购，进一步推进智能边缘的汽车连接和人工智能创新

荷兰埃因霍温——2025年10月29日——恩智浦半导体（纳斯达克股票代码：NXPI）宣布已完成对AvivaLinks和Kinara的收购。2025年10月24日，恩智浦以2.43亿美元现金（未计收购调整）完成了此前宣布的对AvivaLinks的收购。AvivaLinks是一家专注于汽车SerDes联盟（ASA）标准的车载连接解决方案供应商。此次收购进一步丰富并拓展了恩智浦在汽车及...[详细]
英飞凌IPOSIM平台加入基于SPICE的模型生成工具，助力提升系统级仿真精度

【2025年10月27日,德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司推出的英飞凌功率仿真平台（IPOSIM）被广泛用于计算功率模块、分立器件及盘式器件的损耗与热特性。目前，该平台已集成一款基于SPICE（电路仿真程序）的模型生成工具，可将外部电路和栅极驱动器选型纳入系统级仿真。该工具通过充分考虑器件的非线性半导体物理特性，提供更加精确的静态、动态及热性能结果，实现了在广泛工况下的深度器件对比，并加...[详细]
英特尔Q3财报超预期，盘后股价涨超8% AI与代工业务成增长引擎

10月24日，英特尔公布2025年第三季度财报，多项核心指标超越公司指引，推动其盘后股价大幅上涨超过8%。财报显示，英特尔第三季度业绩表现稳健，营收、毛利率和每股收益均超出预期。公司指出，这一增长主要得益于核心市场的持续发力。值得注意的是，这已是英特尔连续第四个季度实现执行力的提升，反映出公司运营效率的稳步改善。在财务层面，英特尔采取了实质性措施强化资产负债表。公司成功获得了来自美国政府、N...[详细]
韩国半导体工程师学会预测：到 2040 年芯片制程将突破至 0.2 纳米

12月25日消息，韩国半导体工程师学会在其发布的《2026年半导体技术路线图》中，公布了未来15年硅基半导体技术的发展预测。三星近期才刚推出全球首款2纳米全环绕栅极（GAA）芯片——Exynos2600，而路线图预计，到2040年半导体电路制程将突破至0.2纳米，正式迈入埃米级（Å）技术时代。不过，从当下到未来的15年间，行业仍需攻克诸多难题，实现1纳米以下晶...[详细]
存储芯片逆袭！七年来三星、海力士毛利率首超台积电

12月23日消息，科创板日报报道，随着存储芯片行业在“缺货涨价”周期中持续受益，三星电子与SK海力士即将公布的第四季度财报备受关注。行业预测显示，这两家存储巨头的内存业务毛利率有望达到63%-67%，将自七年来首次超越全球芯片代工龙头台积电（毛利率约60%）。这一变化标志着，在AI产业浪潮中，半导体行业的利润重心正在发生转移。此前，美光已发布的财报率先印证了这一趋势。其2026财年第一季度毛...[详细]
阿斯麦EUV光刻机实现纳米孔全晶圆级制造，推动分子传感技术发展

12月22日消息，比利时微电子研究中心（IMEC）已成功利用阿斯麦（ASML）最先进的极紫外光刻（EUV）设备，实现了纳米孔的全晶圆级制造。阿斯麦公司公关负责人将此称作其公司设备“一项出人意料的卓越生物医学应用”。鉴于纳米孔为分子传感技术开辟的广阔前景，这项突破或将成为该领域的重要进展。据了解，纳米孔的特性在生物医学领域极具研究价值。从名字不难推断，纳米孔本质上是一种微小的孔道，直径...[详细]
SK 海力士警告：DRAM 供不应求局面预计持续至 2028 年

据科技媒体Wccftech报道，主流PC市场正为内存供需长期失衡做准备，SK海力士的内部会议显示，大宗DRAM产能增长将变得十分有限，难以追上不断攀升的需求，或进一步加剧内存涨价的局面。根据消息人士BullsLab分享的会议PPT，海力士预测，除高带宽内存（HBM）和SOCAMM模块外，大宗DRAM在2028年以前的增长都会受到限制，这主要是因为主流内存厂商已将...[详细]
欧洲投资银行与意法半导体签署10亿欧元协议，助力欧洲提升竞争力与战略自主权

信贷额度将强化欧洲半导体产业，以支持符合欧盟目标的创新、可持续性与能效发展首期5亿欧元款项已签署，用于支持意法半导体在意大利和法国的研发加速与大规模芯片制造此次新协议是双方第九次合作，目前累计融资额达约42亿欧元欧洲投资银行（EIB）与意法半导体已签署5亿欧元融资协议，以提升欧洲竞争力与战略自主权。此举为EIB近期批准的10亿欧元信贷额度首期款项，受益方意法半导体是欧洲排名前...[详细]
英特尔与塔塔电子签署备忘录，探索实现印度所需芯片制造与封测本地化

12月9日消息，英特尔与塔塔电子印度孟买当地时间昨日签署了一份谅解备忘录。双方宣布建立战略联盟，在印度构建芯片和计算生态系统。双方计划基于塔塔电子即将投产的前端晶圆厂和后端OSAT工厂，探索在印度本地生产和封装面向印度市场的英特尔产品和在印AVP（先进封装）技术合作。而在终端设备方面，这两家巨头还计划探索在印度的消费和企业市场快速扩展定制化AIPC解决方案的机遇。...[详细]
Coherent将碳化硅平台从 200mm 扩展至 300mm 规格

Coherent宣布，依托其在200mm碳化硅（SiC）平台领域的技术积累，成功研发出下一代300mm碳化硅解决方案。该方案专为应对不断攀升的热负荷设计，可满足现代数据中心对性能提升与规模扩展的迫切需求。Coherent表示，随着数据中心系统对功率密度、开关速度及热管理能力的要求持续提高，采用大直径SiC晶圆将显著提升能效与热性能表现。尽管该平台的核心应用聚焦于数据中心热管理场...[详细]

小广播

热搜元器件