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IRFR4105TRRPBF

产品描述Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 55V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小156KB,共11页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
标准
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IRFR4105TRRPBF概述

Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 55V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3

IRFR4105TRRPBF规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称International Rectifier ( Infineon )
零件包装代码TO-252AA
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级(Eas)65 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压55 V
最大漏极电流 (ID)20 A
最大漏源导通电阻0.045 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-252AA
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)100 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

IRFR4105TRRPBF相似产品对比

IRFR4105TRRPBF
描述 Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 55V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3
是否无铅 不含铅
是否Rohs认证 符合
厂商名称 International Rectifier ( Infineon )
零件包装代码 TO-252AA
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数 3
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
其他特性 AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级(Eas) 65 mJ
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 55 V
最大漏极电流 (ID) 20 A
最大漏源导通电阻 0.045 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-252AA
JESD-30 代码 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 100 A
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子面层 Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式 GULL WING
端子位置 SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 30
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
Base Number Matches 1
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