ACT SERIES, DUAL 4-INPUT NAND GATE, CDIP14, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-20
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | DIP, DIP14,.3 |
| 针数 | 20 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| 其他特性 | CENTER PIN VCC AND GND |
| 系列 | ACT |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T14 |
| 长度 | 19.56 mm |
| 负载电容（CL） | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型 | NAND GATE |
| 最大I（ol） | 0.024 A |
| 功能数量 | 2 |
| 输入次数 | 4 |
| 端子数量 | 14 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP14,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| Prop。Delay @ Nom-Sup | 9.8 ns |
| 传播延迟（tpd） | 9.8 ns |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 施密特触发器 | NO |
| 座面最大高度 | 5.08 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 7.62 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| 54ACT11020J | 54ACT11020FK | 74ACT11020D | 74ACT11020N | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | ACT SERIES, DUAL 4-INPUT NAND GATE, CDIP14, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-20 | ACT SERIES, DUAL 4-INPUT NAND GATE, CQCC20, CERAMIC, CC-20 | Dual 4-Input Positive-NAND Gates 14-SOIC -40 to 85 | Dual 4-Input Positive-NAND Gates 14-PDIP -40 to 85 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 零件包装代码 | DIP | QFN | SOIC | DIP |
| 包装说明 | DIP, DIP14,.3 | QCCN, LCC20,.35SQ | SOP, SOP14,.25 | DIP, DIP14,.3 |
| 针数 | 20 | 20 | 14 | 14 |
| Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant | not_compliant | not_compliant |
| 其他特性 | CENTER PIN VCC AND GND | CENTER PIN VCC AND GND | CENTER PIN VCC AND GND | CENTER PIN VCC AND GND |
| 系列 | ACT | ACT | ACT | ACT |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T14 | S-CQCC-N20 | R-PDSO-G14 | R-PDIP-T14 |
| 长度 | 19.56 mm | 8.89 mm | 8.65 mm | 19.305 mm |
| 负载电容（CL） | 50 pF | 50 pF | 50 pF | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型 | NAND GATE | NAND GATE | NAND GATE | NAND GATE |
| 最大I（ol） | 0.024 A | 0.024 A | 0.024 A | 0.024 A |
| 功能数量 | 2 | 2 | 2 | 2 |
| 输入次数 | 4 | 4 | 4 | 4 |
| 端子数量 | 14 | 20 | 14 | 14 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 85 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -40 °C | -40 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP | QCCN | SOP | DIP |
| 封装等效代码 | DIP14,.3 | LCC20,.35SQ | SOP14,.25 | DIP14,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | SQUARE | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | CHIP CARRIER | SMALL OUTLINE | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| Prop。Delay @ Nom-Sup | 9.8 ns | 9.8 ns | 9.2 ns | 9.2 ns |
| 传播延迟（tpd） | 9.8 ns | 9.8 ns | 9.2 ns | 9.2 ns |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 施密特触发器 | NO | NO | NO | NO |
| 座面最大高度 | 5.08 mm | 2.03 mm | 1.75 mm | 5.08 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | YES | YES | NO |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | NO LEAD | GULL WING | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm | 1.27 mm | 1.27 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL | QUAD | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 7.62 mm | 8.89 mm | 3.9 mm | 7.62 mm |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 | 1 |
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