Trans Voltage Suppressor Diode,
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
Objectid | 8332447086 |
包装说明 | R-PDSO-F2 |
Reach Compliance Code | compliant |
Country Of Origin | Mainland China |
ECCN代码 | EAR99 |
Date Of Intro | 2018-08-31 |
YTEOL | 6.3 |
其他特性 | EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY |
最大击穿电压 | 14.7 V |
最小击穿电压 | 13.3 V |
击穿电压标称值 | 14 V |
最大钳位电压 | 19.9 V |
配置 | SINGLE |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
最大正向电压 (VF) | 1.25 V |
JESD-30 代码 | R-PDSO-F2 |
最大非重复峰值反向功率耗散 | 200 W |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
最高工作温度 | 150 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性 | UNIDIRECTIONAL |
最大重复峰值反向电压 | 12 V |
最大反向电流 | 2.5 µA |
反向测试电压 | 12 V |
表面贴装 | YES |
技术 | AVALANCHE |
端子形式 | FLAT |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
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