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SMF12ATR

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小365KB,共7页
制造商Sangdest Microelectronics (Nanjing) Co Ltd
标准
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SMF12ATR概述

Trans Voltage Suppressor Diode,

SMF12ATR规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
Objectid8332447086
包装说明R-PDSO-F2
Reach Compliance Codecompliant
Country Of OriginMainland China
ECCN代码EAR99
Date Of Intro2018-08-31
YTEOL6.3
其他特性EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY
最大击穿电压14.7 V
最小击穿电压13.3 V
击穿电压标称值14 V
最大钳位电压19.9 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
最大正向电压 (VF)1.25 V
JESD-30 代码R-PDSO-F2
最大非重复峰值反向功率耗散200 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大重复峰值反向电压12 V
最大反向电流2.5 µA
反向测试电压12 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

 
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