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JANTX2N3766

产品描述Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-213AA, Metal, 2 Pin, TO-213AA, 2 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小204KB,共3页
制造商Cobham Semiconductor Solutions
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JANTX2N3766概述

Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-213AA, Metal, 2 Pin, TO-213AA, 2 PIN

JANTX2N3766规格参数

参数名称属性值
厂商名称Cobham Semiconductor Solutions
零件包装代码TO-66
包装说明FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)1 A
集电极-发射极最大电压60 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)40
JEDEC-95代码TO-213AA
JESD-30 代码O-MBFM-P2
元件数量1
端子数量2
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
参考标准MIL
表面贴装NO
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)10 MHz
Base Number Matches1

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NPN Power Silicon Transistor
2N3766 & 2N3767
Features
Available in JAN, JANTX, and JANTXV
per MIL-PRF-19500/518
TO-66 (TO-213AA) Package
Maximum Ratings
Ratings
Collector - Emitter Voltage
Collector - Base Voltage
Emitter - Base Voltage
Base Current
Collector Current
Total Power Dissipation @ TC = +25 °C (1)
Operating & Storage Temperature Range
Symbol
VCEO
VCBO
VEBO
IB
IC
PT
Top, Tstg
2N3766
60
80
6.0
2.0
4.0
25
-65 to +200
2N3767
80
100
Units
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
Adc
W
°C
Thermal Characteristics
Characteristics
Thermal Resistance, Junction-to-Case
Symbol
R
θJC
Maximum
2.66
Units
°C/W
1) Derate linearly 143 mW/°C between TC = +25°C and TC = +200°C
Electrical Characteristics (TC = 25°C unless otherwise noted)
OFF Characteristics
Collector - Emitter Breakdown Voltage
IC = 100 mAdc
2N3766
2N3767
Collector - Emitter Cutoff Current
VCE = 60 Vdc
VCE = 80 Vdc
Collector - Emitter Cutoff Current
VCE = 80 Vdc, VBE = 1.5 Vdc
VCE = 100 Vdc, VBE = 1.5 Vdc
Collector - Base Cutoff Current
VCB = 80 Vdc
VCB = 100 Vdc
Emitter - Base Cutoff Current
VEB = 6.0 Vdc
2N3766
2N3767
2N3766
2N3767
2N3766
2N3767
Symbol
V(BR)CEO
Mimimum
60
80
---
Maximum
---
Units
Vdc
ICEO
500
500
10
μAdc
ICEX
---
μAdc
ICBO
---
10
10
500
μAdc
IEBO
---
μAdc
Revision Date: 4/3/2013
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