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T431616A-8CI

产品描述Synchronous DRAM, 1MX16, 6ns, CMOS, PBGA60, BGA-60
产品类别存储    存储   
文件大小702KB,共31页
制造商TM Technology, Inc.
官网地址http://www.tmtech.com.tw/
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T431616A-8CI概述

Synchronous DRAM, 1MX16, 6ns, CMOS, PBGA60, BGA-60

T431616A-8CI规格参数

参数名称属性值
Objectid1154958725
包装说明VFBGA, BGA60,7X15,25
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间6 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)125 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度1,2,4,8
JESD-30 代码R-PBGA-B60
长度10.1 mm
内存密度16777216 bit
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度16
功能数量1
端口数量1
端子数量60
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织1MX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码VFBGA
封装等效代码BGA60,7X15,25
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期2048
座面最大高度1 mm
自我刷新YES
连续突发长度1,2,4,8,FP
最大待机电流0.002 A
最大压摆率0.16 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式BALL
端子节距0.65 mm
端子位置BOTTOM
宽度6.4 mm
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