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IR590SG08H

产品描述Silicon Controlled Rectifier, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, DIE-2
产品类别模拟混合信号IC    触发装置   
文件大小82KB,共3页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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IR590SG08H概述

Silicon Controlled Rectifier, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, DIE-2

IR590SG08H规格参数

参数名称属性值
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码DIE
包装说明UNCASED CHIP, S-XUUC-N2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
配置SINGLE
最大直流栅极触发电流140 mA
JESD-30 代码S-XUUC-N2
元件数量1
端子数量2
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状SQUARE
封装形式UNCASED CHIP
认证状态Not Qualified
断态重复峰值电压800 V
重复峰值反向电压800 V
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
触发设备类型SCR
Base Number Matches1

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Bulletin I0213J 10/00
IR590SG..HCB
PHASE CONTROL THYRISTORS
Junction Size:
Wafer Size:
V
RRM
Class:
Passivation Process:
Reference IR Packaged Part:
Square 590 mils
4"
600 to 1200 V
Glassivated MESA
181RKI Series
Major Ratings and Characteristics
Parameters
V
TM
Maximum On-state Voltage
Units
1.2 V
600 to 1200 V
140 mA
2V
5 to 180 mA
900 mA
Test Conditions
T
J
= 25°C, I
T
= 25 A
T
J
= 25°C, I
DRM
/I
RRM
= 100 µA
(1)
V
DRM
/ V
RRM
Direct and Reverse Breakdown Voltage
I
GT
V
GT
I
H
I
L
Max. Required DC Gate Current to Trigger
Max. Required DC Gate Voltage to Trigger
Holding Current Range
Maximum Latching Current
T
J
= 25° C, anode supply = 6 V, resistive load
T
J
= 25° C, anode supply = 6 V, resistive load
Anode supply = 6 V, resistive load
Anode supply = 6 V, resistive load
(1)
Nitrogen flow on die edge.
Mechanical Characteristics
Nominal Back Metal Composition, Thickness
Nominal Front Metal Composition, Thickness
Chip Dimensions
Wafer Diameter
Wafer Thickness
Maximum Width of Sawing Line
Reject Ink Dot Size
Ink Dot Location
Recommended Storage Environment
Cr - Ni - Ag (1 KA - 4 KA - 6 KA)
Cr - Ni - Ag (1 KA - 4 KA - 6 KA)
590 x 590 mils (see drawing)
100 mm, with std. <110> flat
370 µm ± 10 µm
130 µm
0.25 mm diameter minimum
See drawing
Storage in original container, in dessicated
nitrogen, with no contamination

IR590SG08H相似产品对比

IR590SG08H
描述 Silicon Controlled Rectifier, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, DIE-2
厂商名称 Vishay(威世)
零件包装代码 DIE
包装说明 UNCASED CHIP, S-XUUC-N2
针数 2
Reach Compliance Code unknown
配置 SINGLE
最大直流栅极触发电流 140 mA
JESD-30 代码 S-XUUC-N2
元件数量 1
端子数量 2
封装主体材料 UNSPECIFIED
封装形状 SQUARE
封装形式 UNCASED CHIP
认证状态 Not Qualified
断态重复峰值电压 800 V
重复峰值反向电压 800 V
表面贴装 YES
端子形式 NO LEAD
端子位置 UPPER
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