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SP001125332

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小514KB,共7页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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SP001125332概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

SP001125332规格参数

参数名称属性值
Objectid8262856281
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
YTEOL5
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)0.5 A
集电极-发射极最大电压60 V
配置DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)2000
JESD-30 代码R-PSSO-F3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
参考标准AEC-Q101
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置SINGLE
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)150 MHz
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