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TXB-GC1612-89

产品描述Variable Capacitance Diode, X Band, 8.2pF C(T), 45V, Silicon, Abrupt
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小95KB,共3页
制造商Lockheed Martin
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TXB-GC1612-89概述

Variable Capacitance Diode, X Band, 8.2pF C(T), 45V, Silicon, Abrupt

TXB-GC1612-89规格参数

参数名称属性值
Objectid1427722444
包装说明O-CEMW-N2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
最小击穿电压45 V
配置SINGLE
二极管电容容差10%
最小二极管电容比5.6
标称二极管电容8.2 pF
二极管元件材料SILICON
二极管类型VARIABLE CAPACITANCE DIODE
频带X BAND
JESD-30 代码O-CEMW-N2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状ROUND
封装形式MICROWAVE
认证状态Not Qualified
最小质量因数1500
最大反向电流0.02 µA
反向测试电压35 V
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置END
变容二极管分类ABRUPT

 
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