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GLT5160L16P-8TC

产品描述Synchronous DRAM, 1MX16, 6ns, CMOS, PDSO50
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文件大小442KB,共46页
制造商G-Link Technology
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GLT5160L16P-8TC概述

Synchronous DRAM, 1MX16, 6ns, CMOS, PDSO50

GLT5160L16P-8TC规格参数

参数名称属性值
Objectid104490705
包装说明TSOP, TSOP50,.46,32
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间6 ns
最大时钟频率 (fCLK)125 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度1,2,4,8
JESD-30 代码R-PDSO-G50
内存密度16777216 bit
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度16
端子数量50
字数1048576 words
字数代码1000000
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1MX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP
封装等效代码TSOP50,.46,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期4096
连续突发长度1,2,4,8,FP
最大待机电流0.002 A
最大压摆率0.14 mA
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式GULL WING
端子节距0.8 mm
端子位置DUAL

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G -LINK
GLT5160L16
16M (2-Bank x 524288-Word x 16-Bit) Synchronous DRAM
ADVANCED
F
EATURES
u Single 3.3 V ±0.3 V power supply
u Clock frequency 100 MHz / 125 MHz / 143 MHz/
166 MHz
u Fully synchronous operation referenced to clock rising edge
u Dual bank operation controlled by BA (Bank Address)
u CAS latency- 2 / 3 (programmable)
u Burst length- 1 / 2 / 4 / 8 & Full Page (programmable)
u Burst type- sequential / interleave (programmable)
u Industrial grade available
u Byte control by DQMU and DQML
Column access - random
Auto precharge / All bank precharge controlled by A[10]
Auto refresh and Self refresh
4096 refresh cycles / 64 ms
LVTTL Interface
400-mil, 50-Pin Thin Small Outline Package (TSOP II) with
0.8 mm lead pitch
u 60-Ball, 6.4mmx10.1mm VFBGA package with 0.65mm Ball
pitch & 0.35mm Ball diameter.
u 48-Ball,6mmx8mmx0.95mmVFBGA package with 0.75mm
Ball pitch & 0.3mm ball diameter.
u
u
u
u
u
u
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
The GLT5160L16 is a 2-bank x 524288-word x 16-bit Synchro-
nous DRAM, with LVTTL interface. All inputs and outputs are
referenced to the rising edge of CLK. The GLT5160L16 achieves
very high speed data rate up to 166 MHz, and is suitable for main
memory or graphic memory in computer systems.
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