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HVC358BTRF-E

产品描述15V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小106KB,共1页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
标准
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HVC358BTRF-E概述

15V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE

HVC358BTRF-E规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
包装说明R-PDSO-F2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最小击穿电压15 V
配置SINGLE
最小二极管电容比2.2
标称二极管电容20.25 pF
二极管元件材料SILICON
二极管类型VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-F2
JESD-609代码e6
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压15 V
表面贴装YES
端子面层TIN BISMUTH
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间20
Base Number Matches1
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