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BSS63L99Z

产品描述200mA, 100V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小96KB,共4页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
敬请期待 详细参数 选型对比

BSS63L99Z概述

200mA, 100V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB

BSS63L99Z规格参数

参数名称属性值
厂商名称Texas Instruments(德州仪器)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.2 A
集电极-发射极最大电压100 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)30
JEDEC-95代码TO-236AB
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)50 MHz
Base Number Matches1

BSS63L99Z相似产品对比

BSS63L99Z BSS63D87Z BSS63S62Z
描述 200mA, 100V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB 200mA, 100V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB 200mA, 100V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
厂商名称 Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器)
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.2 A 0.2 A 0.2 A
集电极-发射极最大电压 100 V 100 V 100 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 30 30 30
JEDEC-95代码 TO-236AB TO-236AB TO-236AB
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 PNP PNP PNP
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 50 MHz 50 MHz 50 MHz
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