2SD1312-U-AZ,2SD1312-U-AZ pdf中文资料,2SD1312-U-AZ引脚图,2SD1312-U-AZ电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> 2SD1312-U-AZ

2SD1312-U-AZ: 产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小187KB，共3页; 制造商NEC(日电)

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2SD1312-U-AZ概述

Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

2SD1312-U-AZ规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	NEC(日电)
包装说明	IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最大集电极电流 (IC)	1 A
集电极-发射极最大电压	80 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	300
JESD-30 代码	R-PSIP-T3
元件数量	1
端子数量	3
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	NPN
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	120 MHz
Base Number Matches	1

2SD1312-U-AZ相似产品对比

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描述	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
厂商名称	NEC(日电)	NEC(日电)	NEC(日电)	NEC(日电)	NEC(日电)	NEC(日电)	NEC(日电)	NEC(日电)
包装说明	IN-LINE, R-PSIP-T3	IN-LINE, R-PSIP-T3	IN-LINE, R-PSIP-T3	IN-LINE, R-PSIP-T3	IN-LINE, R-PSIP-T3	IN-LINE, R-PSIP-T3	IN-LINE, R-PSIP-T3	IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最大集电极电流 (IC)	1 A	1 A	1 A	1 A	1 A	1 A	1 A	1 A
集电极-发射极最大电压	80 V	80 V	80 V	80 V	80 V	80 V	80 V	80 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	300	200	135	75	135	75	300	200
JESD-30 代码	R-PSIP-T3	R-PSIP-T3	R-PSIP-T3	R-PSIP-T3	R-PSIP-T3	R-PSIP-T3	R-PSIP-T3	R-PSIP-T3
元件数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3	3	3	3	3
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	120 MHz	120 MHz	120 MHz	120 MHz	120 MHz	120 MHz	120 MHz	120 MHz
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1	1	1

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