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MCM69L736CZP8.5

产品描述128KX36 LATE-WRITE SRAM, 8.5ns, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, BGA-119
产品类别存储    存储   
文件大小2MB,共20页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
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MCM69L736CZP8.5概述

128KX36 LATE-WRITE SRAM, 8.5ns, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, BGA-119

MCM69L736CZP8.5规格参数

参数名称属性值
厂商名称NXP(恩智浦)
零件包装代码BGA
包装说明BGA,
针数119
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间8.5 ns
JESD-30 代码R-PBGA-B119
长度22 mm
内存密度4718592 bit
内存集成电路类型LATE-WRITE SRAM
内存宽度36
功能数量1
端子数量119
字数131072 words
字数代码128000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织128KX36
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
座面最大高度2.4 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3.135 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术BICMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式BALL
端子节距1.27 mm
端子位置BOTTOM
宽度14 mm
Base Number Matches1
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