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JAN1N5543B-1

产品描述Zener Diode, 25V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, HERMETIC SEALED PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小192KB,共2页
制造商MACOM
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JAN1N5543B-1概述

Zener Diode, 25V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, HERMETIC SEALED PACKAGE-2

JAN1N5543B-1规格参数

参数名称属性值
包装说明HERMETIC SEALED PACKAGE-2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
JEDEC-95代码DO-35
JESD-30 代码O-PALF-W2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.5 W
认证状态Qualified
参考标准MIL-19500/437
标称参考电压25 V
表面贴装NO
技术ZENER
端子面层TIN LEAD
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
最大电压容差5%
工作测试电流0.001 mA
Base Number Matches1

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Low Noise Zener Diode Series
1N5518B-1 thru 1N5546B-1
Features
1N5518-1 THRU 1N5546B-1 Available in JAN, JANTX
and JANTXV PER MIL-PRF-19500/437
Low Reverse Leakage Characteristics
Low Noise Cheracteristics
Double Plug Construction
Metallurgically Bonded
Also available in DO-213 MELF style package.
Maximum Ratings
Junction and Storage Temperature: -65°C to +175°C
DC Power Dissipation: 500 mW @ +50°C
Power Derating: 4 mW / °C above +50°C
Forward Voltage @ 200mA: 1.1 volts maximum
Electrical Specifications @ +25 ºC (Unless Otherwise Specified)
JEDEC
TYPE
Number
(Note1)
Volts
1N5518B
1N5519B
1N5520B
1N5521B
1N5522B
1N5523B
1N5524B
1N5525B
1N5526B
1N5527B
1N5528B
1N5529B
1N5530B
1N5531B
1N5532B
1N5533B
1N5534B
1N5535B
1N5536B
1N5537B
1N5538B
1N5539B
1N5540B
1N5541B
1N5542B
1N5543B
1N5544B
1N5545B
1N5546B
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10.0
11.0
12.0
13.0
14.0
15.0
16.0
17.0
18.0
19.0
20.0
22.0
24.0
25.0
28.0
30.0
33.0
mA
20
20
20
20
10
5.0
3.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
Ohms
26
24
22
18
22
26
30
30
30
35
40
45
60
80
90
90
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
μ
Adc
5.0
3.0
1.0
3.0
2.0
2.0
2.0
1.0
1.0
0.5
0.5
0.1
0.05
0.05
0.05
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
Normal
Zener
Voltage
Vz @ IZT
Zener
Test
Current
IZT
Maximum Zener
Impedance
B-C-D Suffix
ZZT @ IZT
IR
VR = Volts
NON &
A- Suffix
0.90
0.90
0.90
1.0
1.5
2.0
3.0
4.5
5.5
6.0
6.5
7.0
8.0
9.0
9.5
10.5
11.5
12.5
13.0
14.0
15.0
16.0
17.0
18.0
20.0
21.0
23.0
24.0
28.0
B-C-D-
Suffix
1.0
1.0
1.0
1.5
2.0
2.5
3.5
5.0
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
9.9
0.8
11.7
12.6
13.5
14.4
15.3
16.2
17.1
18.0
19.8
21.6
22.4
25.2
27.0
29.7
Maximum Reverse
Leakage Current
B-C-D Suffix
Maximum DC
Zener Current
IZM
mAdc
115
105
98
88
81
75
68
61
56
51
46
42
38
35
32
29
27
25
24
22
21
20
19
17
16
15
14
13
12
B-C-D Suff
Maximum Noise
Density
@IZ=250
μA
ND
μV
/
√Hz
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
1.0
1.0
1.0
2.0
4.0
4.0
4.0
5.0
10
15
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
Regulation
Factor
ΔV
Z
(Note 2)
Low VZ
Current
IZL
mAdc
2.0
2.0
2.0
2.0
1.0
0.25
0.25
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
Volts
0.90
0.90
0.85
0.75
0.60
0.65
0.30
0.20
0.10
0.05
0.05
0.05
0.10
0.20
0.20
0.20
0.20
0.20
0.20
0.20
0.20
0.20
0.20
0.25
0.30
0.35
0.40
0.45
0.50
NOTE1:
No Suffix type numbers are +20% with guaranteed limits for only VZ, lR, and VF. Units with “A” suffix are +10% with guaranteed limits for
VZ, lR, and VF. Units with guaranteed limits for all six parameters are indicated by a “B” suffix for +5.0% units, “C” suffix for +2.0% and
“D” suffix for +1.0%.
Delta VZ is the maximum difference between VZ @ IZT and VZ@ IZL measured with the device junction in thermal equilibrium.
NOTE 2:
1
Revision Date: 2/28/2013
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