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K4N51163QE-GC2A0

产品描述DDR DRAM, 32MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84
产品类别存储    存储   
文件大小1MB,共64页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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K4N51163QE-GC2A0概述

DDR DRAM, 32MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84

K4N51163QE-GC2A0规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Objectid107305752
包装说明FBGA, BGA84,9X15,32
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间0.45 ns
最大时钟频率 (fCLK)350 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度4,8
JESD-30 代码R-PBGA-B84
内存密度536870912 bit
内存集成电路类型GDDR2 DRAM
内存宽度16
端子数量84
字数33554432 words
字数代码32000000
最高工作温度85 °C
最低工作温度
组织32MX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码FBGA
封装等效代码BGA84,9X15,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, FINE PITCH
电源1.8 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
连续突发长度4,8
最大待机电流0.008 A
最大压摆率0.25 mA
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
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