Synchronous DRAM, 1MX16, 5.3ns, CMOS, PDSO50
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| Objectid | 103130430 |
| 包装说明 | TSOP, TSOP50,.46,32 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 5.3 ns |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 183 MHz |
| I/O 类型 | COMMON |
| 交错的突发长度 | 1,2,4,8 |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G50 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 内存密度 | 16777216 bit |
| 内存集成电路类型 | SYNCHRONOUS DRAM |
| 内存宽度 | 16 |
| 端子数量 | 50 |
| 字数 | 1048576 words |
| 字数代码 | 1000000 |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 1MX16 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TSOP |
| 封装等效代码 | TSOP50,.46,32 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 电源 | 3.3 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 刷新周期 | 4096 |
| 连续突发长度 | 1,2,4,8,FP |
| 最大待机电流 | 0.002 A |
| 最大压摆率 | 0.155 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 0.8 mm |
| 端子位置 | DUAL |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
