
450mA, 150V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SIMILAR TO MO-001AN, 3 PIN
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Infineon(英飞凌) |
| 包装说明 | IN-LINE, R-PDIP-T3 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最小漏源击穿电压 | 150 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 0.45 A |
| 最大漏源导通电阻 | 2.4 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T3 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| Base Number Matches | 1 |
| IRFD213PBF | IRFD025 | IRFD015 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | 450mA, 150V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SIMILAR TO MO-001AN, 3 PIN | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 60V, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SIMILAR TO MO-001AN, 3 PIN | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 60V, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SIMILAR TO MO-001AN, 3 PIN |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Infineon(英飞凌) | Infineon(英飞凌) | Infineon(英飞凌) |
| 包装说明 | IN-LINE, R-PDIP-T3 | SIMILAR TO MO-001AN, 3 PIN | SIMILAR TO MO-001AN, 3 PIN |
| Reach Compliance Code | compliant | unknown | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 最小漏源击穿电压 | 150 V | 60 V | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 0.45 A | 2.2 A | 1.4 A |
| 最大漏源导通电阻 | 2.4 Ω | 0.12 Ω | 0.3 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T3 | R-PDIP-T3 | R-PDIP-T3 |
| 端子数量 | 3 | 3 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE |
| 峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO | NO | NO |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON |
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