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IRFD213PBF

产品描述450mA, 150V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SIMILAR TO MO-001AN, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小46KB,共1页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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IRFD213PBF概述

450mA, 150V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SIMILAR TO MO-001AN, 3 PIN

IRFD213PBF规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明IN-LINE, R-PDIP-T3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最小漏源击穿电压150 V
最大漏极电流 (ID)0.45 A
最大漏源导通电阻2.4 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDIP-T3
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

IRFD213PBF相似产品对比

IRFD213PBF IRFD025 IRFD015
描述 450mA, 150V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SIMILAR TO MO-001AN, 3 PIN Small Signal Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 60V, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SIMILAR TO MO-001AN, 3 PIN Small Signal Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 60V, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SIMILAR TO MO-001AN, 3 PIN
是否Rohs认证 符合 不符合 不符合
厂商名称 Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
包装说明 IN-LINE, R-PDIP-T3 SIMILAR TO MO-001AN, 3 PIN SIMILAR TO MO-001AN, 3 PIN
Reach Compliance Code compliant unknown unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
最小漏源击穿电压 150 V 60 V 60 V
最大漏极电流 (ID) 0.45 A 2.2 A 1.4 A
最大漏源导通电阻 2.4 Ω 0.12 Ω 0.3 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PDIP-T3 R-PDIP-T3 R-PDIP-T3
端子数量 3 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON

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