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V58C2512164SFLJ75

产品描述DDR DRAM,
产品类别存储    存储   
文件大小1MB,共61页
制造商ProMOS Technologies Inc
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V58C2512164SFLJ75概述

DDR DRAM,

V58C2512164SFLJ75规格参数

参数名称属性值
Objectid8309607259
包装说明TBGA,
Reach Compliance Codecompliant
Country Of OriginMainland China
ECCN代码EAR99
YTEOL4.6
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间0.75 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH; TERM PITCH-MAX
JESD-30 代码R-PBGA-B60
长度12 mm
内存密度536870912 bit
内存集成电路类型DDR1 DRAM
内存宽度16
功能数量1
端口数量1
端子数量60
字数33554432 words
字数代码32000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织32MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)2.7 V
最小供电电压 (Vsup)2.3 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
宽度10 mm
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