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V58C2512164SFLI75

产品描述DDR DRAM,
产品类别存储    存储   
文件大小1MB,共61页
制造商ProMOS Technologies Inc
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V58C2512164SFLI75概述

DDR DRAM,

V58C2512164SFLI75规格参数

参数名称属性值
Objectid8309607251
包装说明TSOP2,
Reach Compliance Codecompliant
Country Of OriginMainland China
ECCN代码EAR99
YTEOL4.6
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间0.75 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-PDSO-G66
长度22.22 mm
内存密度536870912 bit
内存集成电路类型DDR1 DRAM
内存宽度16
功能数量1
端口数量1
端子数量66
字数33554432 words
字数代码32000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织32MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP2
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)2.7 V
最小供电电压 (Vsup)2.3 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置DUAL
宽度10.16 mm
新建的nios没有输出引脚
[img]file:///C:\Users\Algebra\AppData\Roaming\Tencent\Users\1417075248\QQ\WinTemp\RichOle\@D1C700$%$(I%XLCXXV7TTK.png[/img][img]file:///C:\Users\Algebra\AppData\Roaming\Tencent\Users\1417075248\QQ\Win...
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