电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

V58C2512164SFLI6I

产品描述DDR DRAM,
产品类别存储    存储   
文件大小1MB,共61页
制造商ProMOS Technologies Inc
下载文档 详细参数 全文预览

V58C2512164SFLI6I概述

DDR DRAM,

V58C2512164SFLI6I规格参数

参数名称属性值
Objectid8309607248
包装说明TSOP2,
Reach Compliance Codecompliant
Country Of OriginMainland China
ECCN代码EAR99
YTEOL4.6
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间0.7 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-PDSO-G66
长度22.22 mm
内存密度536870912 bit
内存集成电路类型DDR1 DRAM
内存宽度16
功能数量1
端口数量1
端子数量66
字数33554432 words
字数代码32000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织32MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP2
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)2.7 V
最小供电电压 (Vsup)2.3 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置DUAL
宽度10.16 mm

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1554  552  2710  1266  365  32  12  55  26  8 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved