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R1LP5256ESP-7SI#B0

产品描述IC sram 256kbit 70ns 28sop
产品类别存储    存储   
文件大小239KB,共15页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
标准
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R1LP5256ESP-7SI#B0概述

IC sram 256kbit 70ns 28sop

R1LP5256ESP-7SI#B0规格参数

参数名称属性值
Brand NameRenesas
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码SOP
包装说明SOP, SOP28,.45
针数28
制造商包装代码PRSP0028DB-B28
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991
Factory Lead Time1 week
Samacsys DescriptionRenesas Electronics SRAM Memory Chip, R1LP5256ESP-7SI#B0- 256kbit
最长访问时间70 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-G28
JESD-609代码e2
内存密度262144 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量28
字数32768 words
字数代码32000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织32KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP28,.45
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.000002 A
最小待机电流4.5 V
最大压摆率0.035 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Copper (Sn/Cu)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
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