Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> IRHC7130

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IRHC7130: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小56KB，共1页; 制造商International Rectifier （ Infineon ）; 官网地址http://www.irf.com/

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IRHC7130概述

Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IRHC7130规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）
包装说明	UNCASED CHIP, R-XUUC-N2
Reach Compliance Code	unknown
其他特性	RADIATION HARDENED
配置	SINGLE
最小漏源击穿电压	100 V
最大漏源导通电阻	0.16 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-XUUC-N2
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	UNCASED CHIP
峰值回流温度（摄氏度）	225
极性/信道类型	N-CHANNEL
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	TIN LEAD
端子形式	NO LEAD
端子位置	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

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IRHC7130相似产品对比

	IRHC7130	IRHC7110	IRHC7150	IRHC7230	IRHC7450
描述	Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET	Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET	Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET	Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET	Power Field-Effect Transistor, 500V, 0.44ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
包装说明	UNCASED CHIP, R-XUUC-N2	UNCASED CHIP, R-XUUC-N2	UNCASED CHIP, S-XUUC-N2	UNCASED CHIP, R-XUUC-N2	UNCASED CHIP, S-XUUC-N2
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
其他特性	RADIATION HARDENED	RADIATION HARDENED	RADIATION HARDENED	RADIATION HARDENED	RADIATION HARDENED
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小漏源击穿电压	100 V	100 V	100 V	200 V	500 V
最大漏源导通电阻	0.16 Ω	0.6 Ω	0.055 Ω	0.1 Ω	0.44 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-XUUC-N2	R-XUUC-N2	S-XUUC-N2	R-XUUC-N2	S-XUUC-N2
元件数量	1	1	1	1	1
端子数量	2	2	2	2	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	SQUARE	RECTANGULAR	SQUARE
封装形式	UNCASED CHIP	UNCASED CHIP	UNCASED CHIP	UNCASED CHIP	UNCASED CHIP
峰值回流温度（摄氏度）	225	225	225	225	225
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子位置	UPPER	UPPER	UPPER	UPPER	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
JESD-609代码	e0	-	e0	e0	-
端子面层	TIN LEAD	-	TIN LEAD	TIN LEAD	-
Base Number Matches	1	1	1	1	-

推荐资源

器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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