INA117KP-BI放大器基础信息:
INA117KP-BI是一款BUFFER。
INA117KP-BI放大器核心信息:
INA117KP-BI的最低工作温度是,最高工作温度是70 °C。
厂商给出的INA117KP-BI的最大压摆率为2 mA,而最小压摆率为2 V/us。而在运放闭环使用时,某个指定闭环增益(一般为 1 或者 2、 10 等)下,INA117KP-BI增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为0.2 MHz。
INA117KP-BI的标称供电电压为15 V,其对应的标称负供电电压为-15 V。而其供电电源的范围为:+-15 V。INA117KP-BI的输入失调电压为1000 µV(输入失调电压:使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。)
INA117KP-BI的相关尺寸:
INA117KP-BI拥有8个端子.其端子位置类型为:DUAL。端子节距为2.54 mm。
INA117KP-BI放大器其他信息:
其温度等级为:COMMERCIAL。INA117KP-BI不符合Rohs认证。其对应的的JESD-30代码为:R-PDIP-T8。其对应的的JESD-609代码为:e0。INA117KP-BI的封装代码是:DIP。
INA117KP-BI封装的材料多为PLASTIC/EPOXY。而其封装形状为RECTANGULAR。INA117KP-BI封装引脚的形式有:IN-LINE。其端子形式有:THROUGH-HOLE。
INA117KP-BI放大器基础信息:
INA117KP-BI是一款BUFFER。
INA117KP-BI放大器核心信息:
INA117KP-BI的最低工作温度是,最高工作温度是70 °C。
厂商给出的INA117KP-BI的最大压摆率为2 mA,而最小压摆率为2 V/us。而在运放闭环使用时,某个指定闭环增益(一般为 1 或者 2、 10 等)下,INA117KP-BI增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为0.2 MHz。
INA117KP-BI的标称供电电压为15 V,其对应的标称负供电电压为-15 V。而其供电电源的范围为:+-15 V。INA117KP-BI的输入失调电压为1000 µV(输入失调电压:使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。)
INA117KP-BI的相关尺寸:
INA117KP-BI拥有8个端子.其端子位置类型为:DUAL。端子节距为2.54 mm。
INA117KP-BI放大器其他信息:
其温度等级为:COMMERCIAL。INA117KP-BI不符合Rohs认证。其对应的的JESD-30代码为:R-PDIP-T8。其对应的的JESD-609代码为:e0。INA117KP-BI的封装代码是:DIP。
INA117KP-BI封装的材料多为PLASTIC/EPOXY。而其封装形状为RECTANGULAR。INA117KP-BI封装引脚的形式有:IN-LINE。其端子形式有:THROUGH-HOLE。
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Burr-Brown |
Reach Compliance Code | unknown |
放大器类型 | BUFFER |
标称带宽 (3dB) | 0.2 MHz |
最大输入失调电压 | 1000 µV |
JESD-30 代码 | R-PDIP-T8 |
JESD-609代码 | e0 |
标称负供电电压 (Vsup) | -15 V |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 8 |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | DIP |
封装等效代码 | DIP8,.3 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
电源 | +-15 V |
最小摆率 | 2 V/us |
最大压摆率 | 2 mA |
标称供电电压 (Vsup) | 15 V |
表面贴装 | NO |
技术 | BIPOLAR |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL |
Base Number Matches | 1 |
INA117KP-BI | INA117AM-BI | INA117SM-BI | INA117BM-BI | |
---|---|---|---|---|
描述 | Buffer Amplifier, 1 Func, BIPolar, PDIP8, | Buffer Amplifier, 1 Func, BIPolar, MBCY8, | Buffer Amplifier, 1 Func, BIPolar, MBCY8, | Buffer Amplifier, 1 Func, BIPolar, MBCY8, |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown |
放大器类型 | BUFFER | BUFFER | BUFFER | BUFFER |
最大输入失调电压 | 1000 µV | 1000 µV | 500 µV | 500 µV |
JESD-30 代码 | R-PDIP-T8 | O-MBCY-W8 | O-MBCY-W8 | O-MBCY-W8 |
JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 |
标称负供电电压 (Vsup) | -15 V | -15 V | -15 V | -15 V |
功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 8 | 8 | 8 | 8 |
最高工作温度 | 70 °C | 85 °C | 125 °C | 85 °C |
最低工作温度 | - | -25 °C | -55 °C | -25 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | METAL | METAL | METAL |
封装等效代码 | DIP8,.3 | CAN8,.2 | CAN8,.2 | CAN8,.2 |
封装形状 | RECTANGULAR | ROUND | ROUND | ROUND |
封装形式 | IN-LINE | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL |
电源 | +-15 V | +-15 V | +-15 V | +-15 V |
最大压摆率 | 2 mA | 2 mA | 1.2 mA | 2 mA |
标称供电电压 (Vsup) | 15 V | 15 V | 15 V | 15 V |
技术 | BIPOLAR | BIPOLAR | BIPOLAR | BIPOLAR |
温度等级 | COMMERCIAL | OTHER | MILITARY | OTHER |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE | WIRE | WIRE | WIRE |
端子位置 | DUAL | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM |
Base Number Matches | 1 | 1 | 1 | 1 |
标称带宽 (3dB) | 0.2 MHz | 0.2 MHz | - | 0.2 MHz |
最小摆率 | 2 V/us | 2 V/us | - | 2 V/us |
包装说明 | - | , CAN8,.2 | , CAN8,.2 | , CAN8,.2 |
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