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5817SME3/TR

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-213AB, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小116KB,共3页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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5817SME3/TR概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-213AB, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2

5817SME3/TR规格参数

参数名称属性值
包装说明O-LELF-R2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-213AB
JESD-30 代码O-LELF-R2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压20 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子面层TIN LEAD
端子形式WRAP AROUND
端子位置END
Base Number Matches1

5817SME3/TR相似产品对比

5817SME3/TR 5818SM-TR3
描述 Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-213AB, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 30V V(RRM), Silicon, DO-213AB, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
包装说明 O-LELF-R2 O-LELF-R2
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码 DO-213AB DO-213AB
JESD-30 代码 O-LELF-R2 O-LELF-R2
JESD-609代码 e0 e0
元件数量 1 1
端子数量 2 2
最高工作温度 150 °C 150 °C
最低工作温度 -65 °C -65 °C
最大输出电流 1 A 1 A
封装主体材料 GLASS GLASS
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 20 V 30 V
表面贴装 YES YES
技术 SCHOTTKY SCHOTTKY
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 WRAP AROUND WRAP AROUND
端子位置 END END
Base Number Matches 1 1
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