IC nvsram 256kbit 100ns 34lpm
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Maxim(美信半导体) |
| 包装说明 | LOW PROFILE, SMT-34 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 100 ns |
| 其他特性 | 10 YEAR DATA RETENTION |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-U34 |
| 长度 | 24.5745 mm |
| 内存密度 | 262144 bit |
| 内存集成电路类型 | NON-VOLATILE SRAM MODULE |
| 内存宽度 | 8 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 34 |
| 字数 | 32768 words |
| 字数代码 | 32000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 32KX8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOJ-I |
| 封装等效代码 | MODULE,34LEAD,1.0 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 225 |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 6.35 mm |
| 最大待机电流 | 0.00015 A |
| 最大压摆率 | 0.085 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.25 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.75 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子形式 | J INVERTED |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 21.5265 mm |
| DS1330BL-100 | DS1330YL-100 | DS1330YL-70 | DS1330BL-70 | DS1330YL-70IND | DS1330BL-70IND | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | IC nvsram 256kbit 100ns 34lpm | IC nvsram 256kbit 100ns 34lpm | IC nvsram 256kbit 70ns 34lpm | IC nvsram 256kbit 70ns 34lpm | IC nvsram 256kbit 70ns 34lpm | IC nvsram 256kbit 70ns 34lpm |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | - | 不符合 | 不符合 | - |
| 厂商名称 | Maxim(美信半导体) | Maxim(美信半导体) | - | Maxim(美信半导体) | Maxim(美信半导体) | - |
| 包装说明 | LOW PROFILE, SMT-34 | LOW PROFILE, SMT-34 | - | LOW PROFILE, SMT-34 | LOW PROFILE, SMT-34 | - |
| Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant | - | not_compliant | unknown | - |
| 最长访问时间 | 100 ns | 100 ns | - | 70 ns | 70 ns | - |
| 其他特性 | 10 YEAR DATA RETENTION | 10 YEAR DATA RETENTION | - | 10 YEAR DATA RETENTION | DATA RETENTION = 10 YRS | - |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-U34 | R-PDSO-U34 | - | R-PDSO-U34 | R-XDFP-U34 | - |
| 内存密度 | 262144 bit | 262144 bit | - | 262144 bit | 262144 bit | - |
| 内存集成电路类型 | NON-VOLATILE SRAM MODULE | NON-VOLATILE SRAM MODULE | - | NON-VOLATILE SRAM MODULE | NON-VOLATILE SRAM MODULE | - |
| 内存宽度 | 8 | 8 | - | 8 | 8 | - |
| 功能数量 | 1 | 1 | - | 1 | 1 | - |
| 端子数量 | 34 | 34 | - | 34 | 34 | - |
| 字数 | 32768 words | 32768 words | - | 32768 words | 32768 words | - |
| 字数代码 | 32000 | 32000 | - | 32000 | 32000 | - |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | - | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | - |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | - | 70 °C | 85 °C | - |
| 组织 | 32KX8 | 32KX8 | - | 32KX8 | 32KX8 | - |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY | UNSPECIFIED | - |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | - | SMALL OUTLINE | FLATPACK | - |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | - | PARALLEL | PARALLEL | - |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | - | Not Qualified | Not Qualified | - |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.25 V | 5.5 V | - | 5.25 V | 5.5 V | - |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.75 V | 4.5 V | - | 4.75 V | 4.5 V | - |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | - | 5 V | 5 V | - |
| 表面贴装 | YES | YES | - | YES | YES | - |
| 技术 | CMOS | CMOS | - | CMOS | CMOS | - |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | - | COMMERCIAL | INDUSTRIAL | - |
| 端子形式 | J INVERTED | J INVERTED | - | J INVERTED | J INVERTED | - |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | - | DUAL | DUAL | - |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
