15000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Microsemi |
包装说明 | PLASTIC, CASE-11, 2 PIN |
针数 | 2 |
制造商包装代码 | CASE PLASTIC |
Reach Compliance Code | unknow |
ECCN代码 | EAR99 |
最小击穿电压 | 347 V |
击穿电压标称值 | 347 V |
外壳连接 | ISOLATED |
最大钳位电压 | 536 V |
配置 | SINGLE |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
JESD-30 代码 | R-PUFM-X2 |
JESD-609代码 | e0 |
最大非重复峰值反向功率耗散 | 15000 W |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
最高工作温度 | 150 °C |
最低工作温度 | -65 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性 | BIDIRECTIONAL |
最大功率耗散 | 1 W |
认证状态 | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压 | 295 V |
最大反向电流 | 250 µA |
表面贴装 | NO |
技术 | AVALANCHE |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | UNSPECIFIED |
端子位置 | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
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