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2N1552

产品描述Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 75V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Germanium, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小369KB,共4页
制造商GPD Optoelectronics Corp
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2N1552概述

Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 75V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Germanium, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN

2N1552规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
零件包装代码TO-204AA
包装说明FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)15 A
集电极-发射极最大电压75 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)10
JEDEC-95代码TO-3
JESD-30 代码O-MBFM-P2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
最高工作温度100 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
晶体管元件材料GERMANIUM
标称过渡频率 (fT)0.002 MHz
Base Number Matches1

 
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