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KM416C1204BT-45

产品描述EDO DRAM, 1MX16, 45ns, CMOS, PDSO44
产品类别存储    存储   
文件大小2MB,共32页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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KM416C1204BT-45概述

EDO DRAM, 1MX16, 45ns, CMOS, PDSO44

KM416C1204BT-45规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Objectid1516455864
包装说明TSOP, TSOP44/50,.46,32
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间45 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-G44
JESD-609代码e0
内存密度16777216 bit
内存集成电路类型EDO DRAM
内存宽度16
端子数量44
字数1048576 words
字数代码1000000
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1MX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP
封装等效代码TSOP44/50,.46,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期1024
自我刷新NO
最大待机电流0.001 A
最大压摆率0.17 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.8 mm
端子位置DUAL
SDHC DMAReceive TIMEOUT;SDHCD:BusRequestHandler() - DMAReceive() failed
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