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K4S641632B-TC80R0

产品描述Synchronous DRAM, 4MX16, 6ns, CMOS, PDSO54
产品类别存储    存储   
文件大小553KB,共11页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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K4S641632B-TC80R0概述

Synchronous DRAM, 4MX16, 6ns, CMOS, PDSO54

K4S641632B-TC80R0规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
Objectid1125505195
包装说明TSOP, TSOP54,.46,32
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间6 ns
最大时钟频率 (fCLK)125 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度1,2,4,8
JESD-30 代码R-PDSO-G54
JESD-609代码e0
内存密度67108864 bit
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度16
端子数量54
字数4194304 words
字数代码4000000
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织4MX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP
封装等效代码TSOP54,.46,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期4096
连续突发长度1,2,4,8,FP
最大待机电流0.001 A
最大压摆率0.145 mA
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子节距0.8 mm
端子位置DUAL

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