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XQFN20051000H

产品描述RES,SMT,THIN FILM,5.1K OHMS,100WV,2.5% +/-TOL,-250,250PPM TC,0202 CASE
产品类别无源元件    电阻器   
文件大小84KB,共3页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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XQFN20051000H概述

RES,SMT,THIN FILM,5.1K OHMS,100WV,2.5% +/-TOL,-250,250PPM TC,0202 CASE

XQFN20051000H规格参数

参数名称属性值
Objectid1169359352
包装说明SMT, 0202
Reach Compliance Codeunknown
Country Of OriginUSA
ECCN代码EAR99
YTEOL7.3
构造Chip
制造商序列号QFN
端子数量2
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装高度0.254 mm
封装长度0.51 mm
封装形式SMT
封装宽度0.51 mm
包装方法Tray
额定功率耗散 (P)0.025 W
参考标准MIL-STD-883
电阻5100 Ω
电阻器类型FIXED RESISTOR
系列QFN
尺寸代码0202
技术THIN FILM
温度系数250 ppm/°C
容差2.5%
工作电压100 V

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QFN
Vishay Electro-Films
NiCr Thin Film, Top-Contact Resistor
CHIP
RESISTORS
FEATURES
Wire bondable
Product may not
be to scale
Chip size: 0.020 inches square
Resistance range: 10
Ω
to 510 kΩ
Resistor material: Nichrome
Quartz substrate: < 0.1 pF shunt capacitance
The QFN series nichrome on quartz resistor chips offer a
combination of nichrome stability, excellent frequency
response and small size.
The QFNs are manufactured using Vishay Electro-Films
(EFI) sophisticated thin film equipment and manufacturing
technology. The QFNs are 100 % electrically tested and
visually inspected to MIL-STD-883.
Power: 25 mW
APPLICATIONS
Vishay EFI QFN top-contact resistor chips are widely used in hybrid packages where space is limited. Designed with capacity to
handle substantial power loads, they also have the benefit of nichrome stability.
Recommended for hermetic environments where die is not exposed to moisture.
TEMPERATURE COEFFICIENT OF RESISTANCE, VALUES AND TOLERANCES
Tightest Standard Tolerance Available
1%
0.5 %
0.1 %
± 25 ppm/°C
± 50 ppm/°C
± 100 ppm/°C
± 250 ppm/°C
PROCESS CODE
CLASS H*
203
201
202
200
Gold terminations
*MIL-PRF-38534 inspection criteria
CLASS K*
207
205
206
204
1
Ω
10
Ω
30
Ω
100
Ω
200 kΩ 360 kΩ 510 kΩ
STANDARD ELECTRICAL SPECIFICATIONS
PARAMETER
Noise, MIL-STD-202, Method 308
100
Ω
- 250 kΩ
< 100
Ω
or > 251 kΩ
Stability, 1000 h, + 125 °C, 50 mW
Operating Temperature Range
Thermal Shock, MIL-STD-202,
Method 107, Test Condition F
High Temperature Exposure, + 150 °C, 100 h
Dielectric Voltage Breakdown
Insulation Resistance
Operating Voltage
DC Power Rating at + 70 °C (Derated to Zero at + 175 °C)
5 x Rated Power Short-Time Overload, + 25 °C, 5 s
- 35 dB typ.
- 20 dB typ.
± 0.1 % max.
ΔR/R
- 55 °C to + 125 °C
± 0.25 % max.
ΔR/R
± 0.5 % max.
ΔR/R
200 V
10
12
min.
100 V max.
25 mW
± 0.25 % max.
ΔR/R
www.vishay.com
50
For technical questions, contact: efi@vishay.com
Document Number: 61079
Revision: 14-Mar-08
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