Datasheet> 器件分类 > 无源元件> 振荡器> SIT5156AECFAA25EL-1.000000T

文档预览

SIT5156AECFAA25EL-1.000000T: 产品描述Clipped Sine Output Oscillator, 1MHz Nom, CQFN, 10 PIN; 产品类别无源元件振荡器; 文件大小1MB，共38页; 制造商SiTime; 标准

下载文档详细参数全文预览

SIT5156AECFAA25EL-1.000000T概述

Clipped Sine Output Oscillator, 1MHz Nom, CQFN, 10 PIN

SIT5156AECFAA25EL-1.000000T规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
Objectid	145156785119
包装说明	LCC10,.12X.2,53/47/43
Reach Compliance Code	unknown
其他特性	ENABLE/DISABLE FUNCTION
老化	1 PPM/FIRST YEAR
频率调整-机械	NO
频率稳定性	1%
安装特点	SURFACE MOUNT
端子数量	10
标称工作频率	1 MHz
最高工作温度	105 °C
最低工作温度	-40 °C
振荡器类型	CLIPPED SINE
输出阻抗	10000 Ω
输出电平	0.8 V
封装主体材料	CERAMIC
封装等效代码	LCC10,.12X.2,53/47/43
物理尺寸	5.15mm x 3.35mm x 1.06mm
最大供电电压	2.75 V
最小供电电压	2.25 V
标称供电电压	2.5 V
表面贴装	YES

文档预览

下载PDF文档

全文
预览

SiT5156

Description

1 MHz to 60 MHz, ±0.5 to ±2.5 ppm, Elite Platform™ Super-TCXO

Features



TCXO that is engineered for best dynamic performance. It

is ideal for high reliability telecom, wireless and networking,

industrial, precision GNSS and audio/video applications.

Leveraging SiTime’s unique DualMEMS™ temperature

sensing and TurboCompensation™ technologies, the

SiT5156 delivers the best dynamic performance for timing

stability in the presence of environmental stressors such as

air flow, temperature perturbation, vibration, shock, and

electromagnetic interference. This device also integrates

multiple on-chip regulators to filter power supply noise,

eliminating the need for a dedicated external LDO.

The SiT5156 offers three device configurations that can be

ordered using

Ordering Codes

for:

1) TCXO with non-pullable output frequency,

2) VCTCXO allowing voltage control of output

frequency, and

3) DCTCXO, enabling digital control of output frequency

using an I C interface, pullable to 5 ppt (parts per

trillion) resolution.

The SiT5156 can be factory programmed for any

combination of frequency, stability, voltage, and pull range.

Programmability enables designers to optimize clock

configurations while eliminating long lead times and

customization costs associated with quartz devices where

each frequency is custom built.

Refer to

Manufacturing Guideline

for proper reflow profile

and PCB cleaning recommendations to ensure best

performance.

The

SiT5156

is a ±0.5 ppm to ±2.5 ppm MEMS Super-



Any frequency from 1 MHz to 60 MHz in 1 Hz steps

Factory programmable options for short lead times

Best dynamic stability under airflow, thermal shock



±0.5 ppm stability across temperature



±15 ppb/

C typical

frequency slope (ΔF/ΔT)

-40°C to +105°C operating temperature

No activity dips or micro jumps

Resistant to shock, vibration and board bending

On-chip regulators eliminate the need for external LDOs

Digital frequency pulling (DCTCXO) via I C



Digital control of output frequency and pull range



Up to

±3200

ppm pull range



Frequency pull resolution down to 5 ppt

2.5V, 2.8V, 3.0V and 3.3V supply voltage

LVCMOS or clipped sinewave output

RoHS and REACH compliant

Pb-free, Halogen-free, Antimony-free

Applications



Precision GNSS systems

Microwave backhaul

Network routers and switches

Professional audio and video equipment

Storage and servers

Test and measurement

Block Diagram

5.0 mm x 3.2 mm Package Pinout

SDA / NC

OE / VC / NC

SCL / NC

GND

VDD

CLK

A0 / NC

Figure 1. SiT5156 Block Diagram

Figure 2. Pin Assignments (Top view)

(Refer to

Table 13

for Pin Descriptions)

Rev 1.05

March 28, 2020

www.sitime.com

SiT5156

1 MHz to 60 MHz, ±0.5 to ±2.5 ppm, Elite Platform™ Super-TCXO

TABLE OF CONTENTS

Description ................................................................................................................................................................................... 1

Features....................................................................................................................................................................................... 1

Applications ................................................................................................................................................................................. 1

Block Diagram ............................................................................................................................................................................. 1

5.0 mm x 3.2 mm Package Pinout ............................................................................................................................................... 1

Ordering Information .................................................................................................................................................................... 2

Electrical Characteristics.............................................................................................................................................................. 4

Device Configurations and Pin-outs ............................................................................................................................................. 9

Pin-out Top Views................................................................................................................................................................. 9

Test Circuit Diagrams for LVCMOS and Clipped Sinewave Outputs ......................................................................................... 10

Waveforms................................................................................................................................................................................. 12

Timing Diagrams ........................................................................................................................................................................ 13

Typical Performance Plots ......................................................................................................................................................... 14

Architecture Overview ................................................................................................................................................................ 16

Frequency Stability ............................................................................................................................................................. 16

Output Frequency and Format............................................................................................................................................ 16

Output Frequency Tuning ................................................................................................................................................... 16

Pin 1 Configuration (OE, VC, or NC) .................................................................................................................................. 17

Device Configurations ................................................................................................................................................................ 17

TCXO Configuration ........................................................................................................................................................... 17

VCTCXO Configuration ...................................................................................................................................................... 18

DCTCXO Configuration ...................................................................................................................................................... 19

VCTCXO-Specific Design Considerations ................................................................................................................................. 20

Linearity .............................................................................................................................................................................. 20

Control Voltage Bandwidth ................................................................................................................................................. 20

FV Characteristic Slope K

................................................................................................................................................. 20

Pull Range, Absolute Pull Range ........................................................................................................................................ 21

DCTCXO-Specific Design Considerations ................................................................................................................................. 22

Pull Range and Average Pull Range .................................................................................................................................. 22

Output Frequency ............................................................................................................................................................... 23

I C Control Registers .......................................................................................................................................................... 25

Register Descriptions.......................................................................................................................................................... 25

Register Address: 0x00. Digital Frequency Control Least Significant Word (LSW) ............................................................ 25

Register Address: 0x01. OE Control, Digital Frequency Control Most Significant Word (MSW)......................................... 26

[15]

....................................................................................... 27

Serial Interface Configuration Description .......................................................................................................................... 28

Serial Signal Format ........................................................................................................................................................... 28

Parallel Signal Format ........................................................................................................................................................ 29

Parallel Data Format ........................................................................................................................................................... 29

I C Timing Specification ...................................................................................................................................................... 31

I C Device Address Modes ................................................................................................................................................. 32

Schematic Example ............................................................................................................................................................ 33

Dimensions and Patterns ........................................................................................................................................................... 34

Layout Guidelines ...................................................................................................................................................................... 35

Manufacturing Guidelines .......................................................................................................................................................... 35

Additional Information ................................................................................................................................................................ 36

Revision History ......................................................................................................................................................................... 37

Rev 1.05

Page 3 of 38

www.sitime.com

推荐资源

分享基于LPC1768的简易计算器程序: 触摸显示屏做为人机交互设备之一，它只要轻轻点击触摸显示屏字符或者图形就能实现对主机的操作。相对于键盘和鼠标的操作更加直观和形象。主要用于多媒体，工业设备控制等等。硬件 LPC1 ......; 加勒比海盗 NXP MCU

C2000晒贴: C2000晒贴来啦，经过几天的学习，终于学完啦。...; wdlm456 微控制器 MCU

月薪1万找蓝牙开发工程师【上海】: 我们公司要招一名Linux下的蓝牙开发工程师。公司地址在上海中山公园附近。薪资待遇1万/月。职位要求： 1、精通LINUX系统以及C/C++编程（必须）。 2、熟悉嵌入式系统、单片机的开发。 3 ......; poonhm 嵌入式系统

有人用过氮化镓功率器件吗？: 氮化镓（GaN）材料具有3倍于Si材料的禁带宽度、10 倍于Si的临界击穿电场和2.5倍于Si的饱和漂移速度，特别是基于GaN的AlGaN/GaN 结构具有更高的电子迁移率，使得GaN器件具有低导通电阻、高工作频 ......; buildele 电源技术

本人想考工程师: 现在大一马上大二，想毕业之后考证，这几年都要学什么啊，具体一点最好，硬件软件都想看看，比较一下。顺便找个能带我入门的师傅，哈尔滨的最好...; 傻傻的熊猫求职招聘

原来公交卡是这么用的: RFID技术分为主动FRID，被动RFID和半主动RFID，国际上使用最多的是被动RFID。公交卡就是一种典型的被动RFID卡，它不自带电源，由读卡器在RFID卡接近的时候通过发射的无线电射频扫描切割RFID卡内 ......; soso 无线连接

多功能监护仪的无线通讯系统

　　1 引言　　多功能监护仪是一种常用的临床医疗器械，他可以把病人的心电(ECG)、呼吸(RESP)、血氧饱和度(SPO2)、血压(BP)等参数显示出来，通过24小时对病人各种生理参数的监测及分析。　　在某一生理机能参数超出规定数值时便发出警报，提醒医护人员及病人家属进行抢救的一种监护系统，是医护人员诊断、治疗及抢救的重要器械。　　传统的监护仪一般通过串口与主监护室相连，布线...[详细]
2007年中国RFID市场回顾与展望

　　【提要】 2007年中国RFID市场回顾与展望:政府项目仍然是RFID应用的推动力；超高频RFID标准制定取得突破；NFC新兴应用市场将会逐渐兴起。　　政府项目仍然是RFID应用的推动力　　2007年，在政府主导项目的拉动下，中国RFID市场依旧保持了快速增长。主要体现在身份识别领域应用继续保持领先地位，其中二代身份证的继续集中发放依然是RFID应用的最大市场。与2006年相比...[详细]
摩托罗拉、斑马等七家公司联合成立RFID专利池

　　【提要】摩托罗拉、斑马等七家公司成立RFID专利池“RFID Consortium LLC”，以加快超高频RFID技术领域的专利授权，促进技术应用。　　根据美国《专利法》规定，由两家以上的公司组成,对某一特定技术的相关专利及其他知识产权进行共同管理的协会或联盟，称为专利池(patent pool)。　　近日，RFID专利池——RFIDConsortium LLC发布成立公告，...[详细]
支撑产业的落后是半导体产业发展瓶颈

　　没有支撑产业的发展就不可能建立我国自主的半导体产业，只有半导体支撑产业形成完善的配套体系，才能推动半导体行业高速发展。　　我国在“十一五”规划中特别提到，要发展我国自己的半导体产业。我国半导体行业国家“十一五”发展目标包括：集成电路产业年均增长率在30%以上，到2010年将实现3000亿元的销售额，约占当时世界集成电路市场份额的8%。制造业的生产技术达到12英寸、90纳米-65纳米水平。...[详细]
一种独特的脑电信号放大检测电路设计

　　1 引言　　脑电信号(EEG]是由脑神经活动产生并且始终存在于中枢神经系统的自发性电位活动，含有丰富的大脑活动信息，是大脑研究、生理研究、临床脑疾病诊断的重要手段。通过对脑电信号进行记录，以提供临床数据和诊断的依据。因此脑电信号的提取具有非常重要的临床意义。　　2 设计时常遇到的技术困难　　(1)脑电信号十分微弱，一般只有50μV左右，幅值范围为5μV～100 μV。因此它要求放...[详细]
基于SiC集成技术的生物电信号采集方案

　　人体信息监控是一个新兴的领域，人们设想开发无线脑电图(EEG)监控设备来诊断癫痫病人，可穿戴的无线EEG能够极大地改善病人的活动空间，并最终通过因特网实现家庭监护。这样的无线EEG系统已经有了，但如何将他们的体积缩小到病人可接受的程度还是一个不小的挑战。本文介绍采用IMEC的SiC技术，它的开发重点是进一步缩小集成后的EEG系统体积以及将低功耗处理技术、无线通信技术和能量提取技术整合起来，在...[详细]
2013年以后全球生物芯片将达38亿美元

　　美国BCC市场调研公司日前发表的生物芯片市场调查报告称，2007年，全球生物芯片市场大约为19.379亿美元，2008年将达到21.156亿美元，2013年这一市场可望达到38亿美元，年增长率高达12.7%。　　目前，DNA芯片占据的市场份额最大，2007年达9.473亿美元，2008年将达9.99亿美元，2013年将升至16.44亿美元，年增长率 10.8%。由于基因表达芯片产品（也属于...[详细]
TI推出最低功耗D的零漂移仪表放大器

2008 年 7 月 1 8 日德州仪器 (TI) 宣布推出一款业界功耗最低的零漂移仪表放大器，从而实现了高精确度、低功耗以及低电源电压的完美结合。与性能最接近的竞争产品相比，该器件实现了最低的静态电流与输入偏置电流，以及出色的功率噪声比、极低的失调电压／漂移和 1.8 V 工作电压等众多优异特性。因此，该款 INA333 器件能够在提高精确度与稳定性的同...[详细]
美国大学开发微型“核弹”杀死癌细胞

　　美国休斯敦赖斯大学的威尔逊教授日前开发出了一种神奇的微型“核弹”用来杀死癌细胞，这项新的研究获得了美国航空航天局的资助，研究报告将发表在最新一期的纳米技术期刊《Small》上。　　研究中使用的α粒子是体积较大的高能亚原子，它的移动速度很慢，穿透能力在众多电离辐射粒子中是最弱的，人类的皮肤或一张纸已能将其隔阻，但一旦进入人体内部，就能对细胞造成严重伤害。　　不过，少量α粒子也可能用来杀...[详细]
游戏玩家失望：英特尔新款游戏芯片定价过高

　　英特尔公布了部分处理能力最强大的新款处理器价格，可能会令游戏玩家失望，因为它们的价格远高于媒体的报道。　　英特尔最新的价格表显示，英特尔面向游戏玩家的最新款处理器——Core 2 Extreme Quad-Core处理器的时钟频率为3.2GHz，价格为1499美元；与这款芯片略有不同的另一款芯片的价格为1399美元；另外一个版本Core 2 Extreme Quad-Core芯片的时钟频...[详细]
触摸屏未来狂想--彻底淘汰鼠标和键盘

如果说苹果的触摸屏产品倾向于实用性的话,那么微软用了6年时间研发的平面计算机(Surface Computer)的出现，则是对电脑进行了一个彻底革命，是触控技术彻底淘汰鼠标和键盘的先兆。　　由于Surface Computer的大小和形状都酷似一个咖啡桌，因此它得到了一个亲昵的称呼：“咖啡桌电脑”。相比触摸屏手机，它将多触点技术创造性的延伸到了许多新的领域。比如,除了提供iPhone所...[详细]
心脏除颤器的工作原理

　　心脏除颤器又名电复律机，它是一种应用电击来抢救和治疗心律失常的一种医疗电子设备。具有疗效高、作用快、操作简便以及与药物相比较为安全等优点，广泛应用于部队各级医疗单位。　　除颤器工作原理　　用较强的脉冲电流通过心脏来消除心律失常、使之恢复窦性心律的方法，称为电击除颤或电复律术。起搏和除颤都是利用外源性的电流来治疗心律失常的，两者均为近代治疗心律失常的方法。心脏起搏与心脏除颤复律的区别是：后...[详细]
当之无愧的巨人英特尔“开启了一个时代”

　　1978年6月8号，Intel发布了其第一款16位的微处理器--8086，还有一句著名的广告语“开启了一个时代”。这可能有点夸大其词？但是现在看来还是相当准确的。当8086的光环退去之后，其支撑架构——后来我们所熟知的x86也成为了最成功的业界技术标准。　　“X86”是Intel和其他几家公司处理器所支持的一组机器指令集，它大致确定了芯片的使用规范。从8086到80186、80286...[详细]
Intel凌动凌空出世 ARM阵营备受挑战

在2008年，Intel成立40周年全球首发的IDF大会上，这家半导体业界的航母不仅介绍了下一代处理器微体系架构Nehalem的处理器以及为实现其强大性能而推出的QuickPath平台架构，更带来了面向MID的凌动(Atom)处理器和迅驰凌动技术。Intel还通过与SBS的合作显示了进军工控嵌入式领域的雄心。此外，由众多技术合作伙伴带来的PCI Express和Dispalyport方案也...[详细]
面对SoC设计挑战 Intel积极响应

xi 在国际测试大会上，英特尔公司副总裁兼副总经理Gadi Singer在题为“应对频谱纳米技术和千兆复杂性的挑战”的演讲中指出，从1940年以来，每立方英尺MIPS或每磅MIPS数每10年就增加100倍。虽然在平滑的曲线上一直是以指数规律变化，但是，在那个时期仍然有许多不连续性和变形点。 “目前，四个不同的趋势正延伸在所有方向中的曲线，”Singer说道。首先，IC复杂性和多样性...[详细]

器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多