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IDT70V3379S4BF8

产品描述Dual-Port SRAM, 32KX18, 4.2ns, CMOS, PBGA208, FINE PITCH, BGA-208
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文件大小182KB,共17页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT70V3379S4BF8概述

Dual-Port SRAM, 32KX18, 4.2ns, CMOS, PBGA208, FINE PITCH, BGA-208

IDT70V3379S4BF8规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码BGA
包装说明TFBGA, BGA208,17X17,32
针数208
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码3A991.B.2.B
最长访问时间4.2 ns
其他特性PIPELINED OUTPUT MODE; SELF TIMED WRITE CYCLE
最大时钟频率 (fCLK)133 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-PBGA-B208
JESD-609代码e0
长度15 mm
内存密度589824 bi
内存集成电路类型DUAL-PORT SRAM
内存宽度18
湿度敏感等级3
功能数量1
端口数量2
端子数量208
字数32768 words
字数代码32000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织32KX18
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装等效代码BGA208,17X17,32
封装形状SQUARE
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
电源2.5/3.3,3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最大待机电流0.015 A
最小待机电流3.15 V
最大压摆率0.46 mA
最大供电电压 (Vsup)3.45 V
最小供电电压 (Vsup)3.15 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn63Pb37)
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间20
宽度15 mm
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