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V73CAG02168RFLJK13I

产品描述DRAM,
产品类别存储    存储   
文件大小2MB,共57页
制造商ProMOS Technologies Inc
标准
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V73CAG02168RFLJK13I概述

DRAM,

V73CAG02168RFLJK13I规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
Objectid145125533480
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
Country Of OriginTaiwan
ECCN代码EAR99
YTEOL4.95
访问模式MULTI BANK PAGE BURST
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)933 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度8
JESD-30 代码R-PBGA-B96
长度13.5 mm
内存密度2147483648 bit
内存集成电路类型DDR3 DRAM
内存宽度16
功能数量1
端口数量1
端子数量96
字数134217728 words
字数代码128000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度95 °C
最低工作温度-40 °C
组织128MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装等效代码BGA96,9X16,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
刷新周期8192
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
连续突发长度8
最大待机电流0.01 A
最大压摆率0.28 mA
最大供电电压 (Vsup)1.575 V
最小供电电压 (Vsup)1.425 V
标称供电电压 (Vsup)1.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
宽度7.5 mm
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