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2SC4954-T1FB

产品描述RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.01A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, MINIMOLD PACKAGE-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小92KB,共7页
制造商NEC(日电)
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2SC4954-T1FB概述

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.01A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, MINIMOLD PACKAGE-3

2SC4954-T1FB规格参数

参数名称属性值
包装说明MINIMOLD PACKAGE-3
Reach Compliance Codeunknow
其他特性LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)0.01 A
基于收集器的最大容量0.5 pF
集电极-发射极最大电压6 V
配置SINGLE
最高频带L BAND
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)12000 MHz
Base Number Matches1

2SC4954-T1FB相似产品对比

2SC4954-T1FB 2SC4954-T2FB
描述 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.01A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, MINIMOLD PACKAGE-3 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.01A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, MINIMOLD PACKAGE-3
包装说明 MINIMOLD PACKAGE-3 MINIMOLD PACKAGE-3
Reach Compliance Code unknow unknown
其他特性 LOW NOISE LOW NOISE
最大集电极电流 (IC) 0.01 A 0.01 A
基于收集器的最大容量 0.5 pF 0.5 pF
集电极-发射极最大电压 6 V 6 V
配置 SINGLE SINGLE
最高频带 L BAND L BAND
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 12000 MHz 12000 MHz
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