Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> CAT28F001GI-90B

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CAT28F001GI-90B: 产品描述128KX8 FLASH 12V PROM, 90ns, PQCC32, LEAD AND HALOGEN FREE, PLASTIC, LCC-32; 产品类别存储存储; 文件大小106KB，共18页; 制造商ON Semiconductor(安森美); 官网地址http://www.onsemi.cn; 标准

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CAT28F001GI-90B概述

128KX8 FLASH 12V PROM, 90ns, PQCC32, LEAD AND HALOGEN FREE, PLASTIC, LCC-32

CAT28F001GI-90B规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
零件包装代码	QFJ
包装说明	LEAD AND HALOGEN FREE, PLASTIC, LCC-32
针数	32
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	90 ns
其他特性	BOTTOM BOOT BLOCK
启动块	BOTTOM
命令用户界面	YES
数据轮询	NO
耐久性	100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码	R-PQCC-J32
JESD-609代码	e3
长度	13.97 mm
内存密度	1048576 bit
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	8
功能数量	1
部门数/规模	1,2,1
端子数量	32
字数	131072 words
字数代码	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	128KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	QCCJ
封装等效代码	LDCC32,.5X.6
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER
并行/串行	PARALLEL
电源	5 V
编程电压	12 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	3.55 mm
部门规模	8K,4K,112K
最大待机电流	0.000001 A
最大压摆率	0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	TIN
端子形式	J BEND
端子节距	1.27 mm
端子位置	QUAD
切换位	NO
类型	NOR TYPE
宽度	11.43 mm
Base Number Matches	1

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CAT28F001

1 Megabit CMOS Boot Block

Flash Memory

FEATURES

Fast Read Access Time: 90/120 ns

On-Chip Address and Data Latches

Blocked Architecture

Licensed Intel

second source

Deep Powerdown Mode

— One 8 KB Boot Block w/ Lock Out

• Top or Bottom Locations

— Two 4 KB Parameter Blocks

— One 112 KB Main Block

Low Power CMOS Operation

12.0V

5% Programming and Erase Voltage

Automated Program & Erase Algorithms

High Speed Programming

Commercial, Industrial and Automotive

Temperature Ranges

— 0.05

A I

Typical

— 0.8

A I

Typical

Hardware Data Protection

Electronic Signature

100,000 Program/Erase Cycles and 10 Year

Data Retention

JEDEC Standard Pinouts:

— 32 pin DIP

— 32 pin PLCC

— 32 pin TSOP

Reset/Deep Power Down Mode

"Green" Package Options Available

DESCRIPTION

The CAT28F001 is a high speed 128K X 8 bit electrically

erasable and reprogrammable Flash memory ideally

suited for applications requiring in-system or after sale

code updates.

The CAT28F001 has a blocked architecture with one 8

KB Boot Block, two 4 KB Parameter Blocks and one 112

KB Main Block. The Boot Block section can be at the top

or bottom of the memory map and includes a reprogram-

ming write lock out feature to guarantee data integrity. It

is designed to contain secure code which will bring up

the system minimally and download code to other loca-

tions of CAT28F001.

The CAT28F001 is designed with a signature mode

which allows the user to identify the IC manufacturer and

device type. The CAT28F001 is also designed with on-

Chip Address Latches, Data Latches, Programming and

Erase Algorithms.

The CAT28F001 is manufactured using Catalyst’s ad-

vanced CMOS floating gate technology. It is designed

to endure 100,000 program/erase cycles and has a data

retention of 10 years. The device is available in JEDEC

approved 32-pin plastic DIP, PLCC or TSOP packages.

BLOCK DIAGRAM

I/O0–I/O7

ADDRESS

COUNTER

I/O BUFFERS

WRITE STATE

MACHINE

COMMAND

PROGRAM VOLTAGE

SWITCH

CE, OE LOGIC

DATA

LATCH

SENSE

AMP

ERASE VOLTAGE

SWITCH

STATUS

ADDRESS LATCH

Y-GATING

Y-DECODER

8K-BYTE BOOT BLOCK

4K-BYTE PARAMETER BLOCK

112K-BYTE MAIN BLOCK

A0–A16

VOLTAGE VERIFY

SWITCH

X-DECODER

Characteristics subject to change without notice

COMPARATOR

Doc. No. MD-1078, Rev. K

CAT28F001GI-90B相似产品对比

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描述	128KX8 FLASH 12V PROM, 90ns, PQCC32, LEAD AND HALOGEN FREE, PLASTIC, LCC-32	IC 128K X 8 FLASH 12V PROM, 90 ns, PDSO32, LEAD AND HALOGEN FREE, 8 X 20 MM, TSOP-32, Programmable ROM	128KX8 FLASH 12V PROM, 90ns, PDIP32, LEAD AND HALOGEN FREE, PLASTIC, DIP-32	IC 128K X 8 FLASH 12V PROM, 90 ns, PDIP32, LEAD AND HALOGEN FREE, PLASTIC, DIP-32, Programmable ROM	128KX8 FLASH 12V PROM, 90ns, PDSO32, LEAD AND HALOGEN FREE, 8 X 20 MM, TSOP-32	128KX8 FLASH 12V PROM, 120ns, PDSO32, LEAD AND HALOGEN FREE, 8 X 20 MM, TSOP-32
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合
零件包装代码	QFJ	TSOP	DIP	DIP	TSOP	TSOP
包装说明	LEAD AND HALOGEN FREE, PLASTIC, LCC-32	LEAD AND HALOGEN FREE, 8 X 20 MM, TSOP-32	LEAD AND HALOGEN FREE, PLASTIC, DIP-32	LEAD AND HALOGEN FREE, PLASTIC, DIP-32	LEAD AND HALOGEN FREE, 8 X 20 MM, TSOP-32	LEAD AND HALOGEN FREE, 8 X 20 MM, TSOP-32
针数	32	32	32	32	32	32
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	90 ns	90 ns	90 ns	90 ns	90 ns	120 ns
其他特性	BOTTOM BOOT BLOCK	TOP BOOT BLOCK	TOP BOOT BLOCK	BOTTOM BOOT BLOCK	BOTTOM BOOT BLOCK	BOTTOM BOOT BLOCK
启动块	BOTTOM	TOP	TOP	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
命令用户界面	YES	YES	YES	YES	YES	YES
数据轮询	NO	NO	NO	NO	NO	NO
耐久性	100000 Write/Erase Cycles	100000 Write/Erase Cycles	100000 Write/Erase Cycles	100000 Write/Erase Cycles	100000 Write/Erase Cycles	100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码	R-PQCC-J32	R-PDSO-G32	R-PDIP-T32	R-PDIP-T32	R-PDSO-G32	R-PDSO-G32
JESD-609代码	e3	e3	e3	e3	e3	e3
长度	13.97 mm	18.4 mm	42.03 mm	42.03 mm	18.4 mm	18.4 mm
内存密度	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit
内存集成电路类型	FLASH	FLASH	FLASH	FLASH	FLASH	FLASH
内存宽度	8	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1	1
部门数/规模	1,2,1	1,2,1	1,2,1	1,2,1	1,2,1	1,2,1
端子数量	32	32	32	32	32	32
字数	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words
字数代码	128000	128000	128000	128000	128000	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	128KX8	128KX8	128KX8	128KX8	128KX8	128KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	QCCJ	TSOP1	DIP	DIP	TSOP1	TSOP1
封装等效代码	LDCC32,.5X.6	TSSOP32,.8,20	DIP32,.6	DIP32,.6	TSSOP32,.8,20	TSSOP32,.8,20
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	IN-LINE	IN-LINE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
编程电压	12 V	12 V	12 V	12 V	12 V	12 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	3.55 mm	1.2 mm	5.08 mm	5.08 mm	1.2 mm	1.2 mm
部门规模	8K,4K,112K	8K,4K,112K	8K,4K,112K	8K,4K,112K	8K,4K,112K	8K,4K,112K
最大待机电流	0.000001 A	0.000001 A	0.000001 A	0.000001 A	0.000001 A	0.000001 A
最大压摆率	0.03 mA	0.03 mA	0.03 mA	0.03 mA	0.03 mA	0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	YES	NO	NO	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子面层	TIN	TIN	TIN	TIN	TIN	TIN
端子形式	J BEND	GULL WING	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	GULL WING	GULL WING
端子节距	1.27 mm	0.5 mm	2.54 mm	2.54 mm	0.5 mm	0.5 mm
端子位置	QUAD	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
切换位	NO	NO	NO	NO	NO	NO
类型	NOR TYPE	NOR TYPE	NOR TYPE	NOR TYPE	NOR TYPE	NOR TYPE
宽度	11.43 mm	8 mm	15.24 mm	15.24 mm	8 mm	8 mm

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