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6116S150L28B

产品描述Standard SRAM, 2KX8, 150ns, CMOS, CQCC28
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文件大小801KB,共11页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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6116S150L28B概述

Standard SRAM, 2KX8, 150ns, CMOS, CQCC28

6116S150L28B规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Objectid109013590
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间150 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-XQCC-N28
JESD-609代码e0
内存密度16384 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
端子数量28
字数2048 words
字数代码2000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织2KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC
封装代码QCCN
封装等效代码LCC28,.45SQ
封装形状SQUARE
封装形式CHIP CARRIER
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别38535Q/M;38534H;883B
最大待机电流0.001 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.09 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
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