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5962-9207803HTX

产品描述SRAM Module, 512KX8, 85ns, CMOS, CDMA32, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32
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文件大小156KB,共6页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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5962-9207803HTX概述

SRAM Module, 512KX8, 85ns, CMOS, CDMA32, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32

5962-9207803HTX规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Microsemi
零件包装代码MODULE
包装说明,
针数32
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间85 ns
JESD-30 代码R-CDMA-T32
JESD-609代码e4
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型SRAM MODULE
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织512KX8
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-STD-883
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层GOLD
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1
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