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BYT42DTAP

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.25A, 200V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, DOT30B, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小50KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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BYT42DTAP概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.25A, 200V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, DOT30B, 2 PIN

BYT42DTAP规格参数

参数名称属性值
厂商名称Vishay(威世)
包装说明O-LALF-W2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
应用FAST SOFT RECOVERY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码O-LALF-W2
最大非重复峰值正向电流30 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最大输出电流1.25 A
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压200 V
最大反向恢复时间0.15 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1

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BYT42
Vishay Telefunken
Fast Soft Recovery Rectifier
Features
D
D
D
D
D
Miniature axial leaded
Glass passivated
Hermetically sealed glass envelope
Low reverse current
High reverse voltage
Applications
TV and monitor
SMPS
Electronic ballast
95 10526
Absolute Maximum Ratings
T
j
= 25
_
C
Parameter
Reverse voltage=
g
Repetitive peak reverse voltage
Test Conditions
Type
BYT42A
BYT42B
BYT42D
BYT42G
BYT42J
BYT42K
BYT42M
Symbol
V
R
=
V
RRM
Value
50
100
200
400
600
800
1000
30
1.25
–55...+175
10
Unit
V
Peak forward surge current
Average forward current
Junction and storage
temperature range
Non repetitive reverse
avalanche energy
t
p
=8.3 ms, half sinewave
Lead length l = 10 mm,
T
L
= 25
°
C
I
FSM
I
FAV
T
j
=T
stg
A
A
°
C
mJ
I
(BR)R
=0.4A
E
R
Maximum Thermal Resistance
T
j
= 25
_
C
Parameter
Junction ambient
Test Conditions
Lead length l = 10 mm, T
L
= constant
on PC board with spacing 25mm
Symbol
R
thJA
Value
60
110
Unit
K/W
Document Number 86025
Rev. 4, 10-Aug-00
www.vishay.com
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