OTP ROM, 128KX16, 200ns, CMOS, PQCC44, 0.650 X 0.650 INCH, PLASTIC, LCC-44
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
零件包装代码 | LCC |
包装说明 | QCCJ, LDCC44,.7SQ |
针数 | 44 |
Reach Compliance Code | unknow |
ECCN代码 | EAR99 |
最长访问时间 | 200 ns |
I/O 类型 | COMMON |
JESD-30 代码 | S-PQCC-J44 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 16.5862 mm |
内存密度 | 2097152 bi |
内存集成电路类型 | OTP ROM |
内存宽度 | 16 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 44 |
字数 | 131072 words |
字数代码 | 128000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 128KX16 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | QCCJ |
封装等效代码 | LDCC44,.7SQ |
封装形状 | SQUARE |
封装形式 | CHIP CARRIER |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
电源 | 5 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 4.57 mm |
最大待机电流 | 0.0001 A |
最大压摆率 | 0.05 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | J BEND |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
宽度 | 16.5862 mm |
Base Number Matches | 1 |
N27C220-200V10 | 27C220-150V10 | P27C220-200V10 | |
---|---|---|---|
描述 | OTP ROM, 128KX16, 200ns, CMOS, PQCC44, 0.650 X 0.650 INCH, PLASTIC, LCC-44 | UVPROM, 128KX16, 150ns, CMOS, CDIP40, WINDOWED, CERDIP-40 | OTP ROM, 128KX16, 200ns, CMOS, PDIP40, PLASTIC, DIP-40 |
零件包装代码 | LCC | DIP | DIP |
包装说明 | QCCJ, LDCC44,.7SQ | WDIP, | DIP, DIP40,.6 |
针数 | 44 | 40 | 40 |
Reach Compliance Code | unknow | unknow | unknown |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
最长访问时间 | 200 ns | 150 ns | 200 ns |
JESD-30 代码 | S-PQCC-J44 | R-GDIP-T40 | R-PDIP-T40 |
长度 | 16.5862 mm | 52.325 mm | 52.26 mm |
内存密度 | 2097152 bi | 2097152 bi | 2097152 bit |
内存集成电路类型 | OTP ROM | UVPROM | OTP ROM |
内存宽度 | 16 | 16 | 16 |
功能数量 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 44 | 40 | 40 |
字数 | 131072 words | 131072 words | 131072 words |
字数代码 | 128000 | 128000 | 128000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
组织 | 128KX16 | 128KX16 | 128KX16 |
输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | CERAMIC, GLASS-SEALED | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | QCCJ | WDIP | DIP |
封装形状 | SQUARE | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | CHIP CARRIER | IN-LINE, WINDOW | IN-LINE |
并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
座面最大高度 | 4.57 mm | 5.72 mm | 5.08 mm |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V |
表面贴装 | YES | NO | NO |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
端子形式 | J BEND | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 1.27 mm | 2.54 mm | 2.54 mm |
端子位置 | QUAD | DUAL | DUAL |
宽度 | 16.5862 mm | 15.24 mm | 15.24 mm |
Base Number Matches | 1 | 1 | 1 |
是否无铅 | 含铅 | - | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 | - | 不符合 |
I/O 类型 | COMMON | - | COMMON |
JESD-609代码 | e0 | - | e0 |
封装等效代码 | LDCC44,.7SQ | - | DIP40,.6 |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED |
电源 | 5 V | - | 5 V |
最大待机电流 | 0.0001 A | - | 0.0001 A |
最大压摆率 | 0.05 mA | - | 0.05 mA |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | Tin/Lead (Sn/Pb) |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED |
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