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IRFU120

产品描述8.4A, 100V, 0.27ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小855KB,共6页
制造商Rochester Electronics
官网地址https://www.rocelec.com/
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IRFU120概述

8.4A, 100V, 0.27ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA

IRFU120规格参数

参数名称属性值
Reach Compliance Codeunknow
雪崩能效等级(Eas)36 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (ID)8.4 A
最大漏源导通电阻0.27 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-251AA
JESD-30 代码R-PSIP-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)34 A
认证状态COMMERCIAL
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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Reach Compliance Code unknow unknown unknown unknown
雪崩能效等级(Eas) 36 mJ 36 mJ 36 mJ 36 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 100 V 80 V 80 V 100 V
最大漏极电流 (ID) 8.4 A 8.4 A 8.4 A 8.4 A
最大漏源导通电阻 0.27 Ω 0.27 Ω 0.27 Ω 0.27 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-251AA TO-251AA TO-252AA TO-252AA
JESD-30 代码 R-PSIP-T3 R-PSIP-T3 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
元件数量 1 1 1 1
端子数量 3 3 2 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 34 A 34 A 34 A 34 A
认证状态 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
表面贴装 NO NO YES YES
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
厂商名称 - Rochester Electronics Rochester Electronics Rochester Electronics
端子面层 - TIN LEAD TIN LEAD NOT SPECIFIED
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