THYRISTOR MODULE
（ISOLATED
MOLD TYPE）
SG25AA
UL:E76102 M）
（
SG25AA
is an isolated molded thyristor which is suitable fora wide range of industrial
and home electronics uses.
SG25AA
uses highly relible glass passivation.
●
I
T(AV)
=25A
23.0 MAX
39.2 MAX
2-
φ4.2±0.1
●
high
Surge Capability
●
Tab terminals for easy wiring.
（K）
（G）
A TAB250
：
K TAB250
：
G TAB187
：
20.1 MAX
21.6 MAX
30.0±0.1
13.9
＃250
φ1.65
1
.T
1
）
（T
7.95±0.15
＃180
φ1.3
（G）
6.35±0.15
8.2 MAX
22.5 MAX
2.6
A
G
K
10.8
（A）
Unit：
A
■Maximum
Ratings
Symbol
V
RRM
V
RSM
V
DRM
Symbol
（
I
T AV）
（
I
T RMS）
Item
Repetitive Peak Reverse Voltage
Non-Repetitive Peak Reverse Voltage
Repetitive Peak Off-State Voltage
Item
Average On-State Current
R.M.S. On-State Current
Surge On-State Current
I
2
t
Peak Gate Power Dissipation
Average Gate Power Dissipation
Peak Gate Current
Peak Gate Voltage(Forward)
Peak Gate Voltage(Reverse)
Critical Rate of Rise of On-State Current
Isolation Breakdown Voltage (R.M.S.)
Operating Junction Temperature
Storage Temperature
Mounting Torque（M4）
Mass
Ratings
SG25AA20
200
240
200
Conditions
Single phase, half wave, 180°
conduction, Tc：70℃
Single phase, half wave, 180°
conduction, Tc：70℃
1
cycle,
／
2
SG25AA40
400
480
400
SG25AA60
600
720
600
Ratings
25
39
450
/
500
1040
10
1
3
10
5
Unit
V
V
V
Unit
A
A
A
A
2
S
W
W
A
V
V
A
/
μs
V
℃
℃
N½½
（㎏f½B）
g
I
TSM
I
2
t
P
GM
（AV）
P
G
50Hz/60Hz, peak value, non-repetitive
2∼10ms
I
FGM
V
FGM
V
RGM
di／dt
V
ISO
Tj
Tstg
μs
I
G
＝100mA，
Tj＝25℃，
D
＝
1 2
V
DRM
，
G
/
dt＝1A
/
V
／
dI
A.C.1minute
100
2500
−40
to
＋125
−40
to
＋125
Recommended Value 1.0-1.4（10-14）
1.5（15）
23
■Electrical
Characteristics
Symbol
I
DRM
I
RRM
V
TM
I
GT
／V
GT
V
GD
tgt
dv／dt
I
H
Item
Repetitive Peak Off-State Current, max.
Repetitive Peak Reverse Current, max.
Peak On-State Voltage, max.
Gate Trigger Current/Voltage, max.
Non-Trigger Gate, Voltage. min.
Turn On Time, max.
Critical Rate of Rise of Off-State Voltage, min.
Holding Current, typ.
Conditions
at V
DRM
, single phase, half wave, Tj＝125℃
at V
DRM
, single phase, half wave, Tj＝125℃
On-State Current 78A, Tj＝25℃ Inst. measurement
Tj＝25℃，I
T
＝1A，V
D
＝6V
Tj＝125℃，V
D
＝
1 2
V
DRM
／
I
T
＝25A，
G
＝100mA，
I
Tj＝25℃，
D
＝
1 2
V
DRM
，
G
/
dt＝1A
/
V
／
dI
μs
Tj＝125℃, V
D
＝
2 3
V
DRM
, Exponential wave.
／
Tj＝25℃
Junction to case
Ratings
5
5
1.40
40
/
3
0.2
10
100
30
1.6
Unit
mA
mA
V
mA
/
V
V
μs
V
/
μs
mA
℃
/
W
Rth j-c） Thermal Impedance, max.
（
50 Seaview Blvd. Port Washington, NY 11050-4618 PH.(516)625-1313 FAX(516)625-8845 E-mail: semi@sanrex.com
;;
;;
SG25AA
２
Gate Characteristics
１
３
０
On-State Voltage max
１
１
０
Peak Forward Gate Voltag
（10V）
Peak Gate Current
（3A）
５
２
Av
er
ag
e
On-State Current
（A）
Gate Voltage
（V）
P
Po eak
we Ga
（ te
r
10
W
）
５
２
Ga
te
１
０
０
25℃
−40℃
Po
we
（
r
１
２
０
1W
125℃
）
５
２
５
２
Maximum Gate Voltage that will not trigger any unit
１
１
０
１
−１ １
０
１
０
２
５
１
２
０
２
５
１
３
０
２
５
５
０
１
２
３
4
５
６
Gate Current
（mA）
On-State Voltage
（V）
Allowable Case Temperature
（℃）
６
０
５
０
４
０
Average On-State Current Vs Power Dissipation
（Single phase half wave）
１０
６
１０
４
Average On-State Current Vs Maximum Allowable
Case Temperature
（Single phase half wave）
Per one element
2
Power Dissipation
（W）
D.C.
１０
２
１０
０
360
。
: Conduction Angle
３
０
２
０
１
０
θ
＝180゜
θ
＝120゜
θ
＝90゜
θ
＝60゜
θ
＝30゜
８
０
６
０
４
０
2
360
。
: Conduction Angle
θ
＝60゜ θ
＝120゜
θ
＝90゜ θ
＝180゜
θ
＝30゜
D.C.
０
１
０
２
０
３
０
４
０
５
０
０
１
０
２
０
３
０
４
０
５
０
Average On-State Current
（A）
Average On-State Current
（A）
３
２
２
８
２
４
２
０
１
６
１
２
８
４
Ambient Temperature Average On-State
（Single phase full wave）
Rth 2.0℃/W Rth 1.0℃/W Rth 0.5℃/W
：
：
：
６０
０
５０
０
４０
０
Surge On-State Current Rating
（Non-Repetitive）
Tj＝25℃ start
Average On-State Current
（A）
Rth 3.0℃/W
：
Surge On-State Current
（A）
３０
０
２０
０
１０
０
60Hz
５
0Hz
０
０
２
０
４
０
６
０
８
０
１０
０
１０
２
１０
４
１０
６
０
０
１
０
２
５
１
1
０
２
５
１
２
０
Ambient Temperature
（℃）
Time
（cycles）
Transient Thermal Impedance
θ
（℃/W）
j-c
１
−３
２
０
Transient Thermal Impedance
５ １
−２
２
０
５ １
−１
２
０
５
１
０
０
１６
．
１２
．
1.6
1.2
０８
．
0．
４
F-40 Self Convection
５０
．
４０
．
０
３０
．
２０
．
１０
．
F-60 Self Convection
F- ０ 3m/s)
４(
３０
．
F- ０ 3m/s)
２０
６(
．
Junction to case
１０
．
０
０
１ ２
０
５ １
1
２
０
Time
t
sec）
（
５ １
２
２
０
５ １
３
２
０
５ １
４
０
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