datasheet
电子工程世界电子工程世界电子工程世界
Datasheet
型号

关键词

搜索
关键词

型号

搜索
Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> IRLR024ZTRL
PDF数据手册
文档预览

IRLR024ZTRL

产品描述Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 55V, 0.058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, PLASTIC, DPAK-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小332KB，共11页
制造商International Rectifier （ Infineon ）
官网地址http://www.irf.com/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

IRLR024ZTRL概述

Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 55V, 0.058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, PLASTIC, DPAK-3

IRLR024ZTRL规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称International Rectifier （ Infineon ）
零件包装代码TO-252AA
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）25 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压55 V
最大漏极电流 (ID)16 A
最大漏源导通电阻0.058 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-252AA
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e0
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)64 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
PD - 95773B
Features
n
n
n
n
n
n
n
HEXFET
®
Power MOSFET
D
IRLR024ZPbF
IRLU024ZPbF
V
DSS
= 55V
R
DS(on)
= 58mΩ
Logic Level
Advanced Process Technology
Ultra Low On-Resistance
175°C Operating Temperature
Fast Switching
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
Lead-Free
G
S
I
D
= 16A
Description
This HEXFET
®
Power MOSFET utilizes the latest
processing techniques to achieve extremely low on-
resistance per silicon area. Additional features of this
design are a 175°C junction operating temperature,
fast switching speed and improved repetitive
avalanche rating . These features combine to make
this design an extremely efficient and reliable device
for use in a wide variety of applications.
D-Pak
IRLR024ZPbF
I-Pak
IRLU024ZPbF
Absolute Maximum Ratings
Parameter
I
D
@ T
C
= 25°C Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
(Silicon Limited)
I
D
@ T
C
= 100°C Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
I
DM
Pulsed Drain Current
P
D
@T
C
= 25°C Power Dissipation
Max.
16
11
64
35
0.23
± 16
Units
A
W
W/°C
V
mJ
A
mJ
™
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
V
GS
E
AS (Thermally limited)
Single Pulse Avalanche Energy
E
AS
(Tested )
Single Pulse Avalanche Energy Tested Value
d
I
AR
E
AR
T
J
T
STG
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Ù
h
25
25
See Fig.12a, 12b, 15, 16
-55 to + 175
g
°C
300 (1.6mm from case )
Soldering Temperature, for 10 seconds
Thermal Resistance
Parameter
R
θJC
R
θJA
R
θJA
Junction-to-Case
ˆ
Junction-to-Ambient (PCB mount)
Junction-to-Ambient
Typ.
Max.
4.28
40
110
Units
°C/W
i
–––
–––
–––
HEXFET
®
is a registered trademark of International Rectifier.
www.irf.com
1
10/01/10

IRLR024ZTRL相似产品对比

IRLR024ZTRL IRLR024ZTRPBF IRLR024ZTR IRLR024ZTRRPBF IRLR024ZTRR
描述 Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 55V, 0.058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, PLASTIC, DPAK-3 mosfet N-CH 55v 16a dpak Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 55V, 0.058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, PLASTIC, DPAK-3 Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 55V, 0.058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3 Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 55V, 0.058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, PLASTIC, DPAK-3
是否Rohs认证 不符合 符合 不符合 符合 不符合
厂商名称 International Rectifier （ Infineon ） International Rectifier （ Infineon ） International Rectifier （ Infineon ） International Rectifier （ Infineon ） International Rectifier （ Infineon ）
零件包装代码 TO-252AA TO-252AA TO-252AA TO-252AA TO-252AA
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数 3 3 3 3 3
Reach Compliance Code unknown unknown compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ULTRA-LOW RESISTANCE AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ULTRA-LOW RESISTANCE AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ULTRA-LOW RESISTANCE AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ULTRA-LOW RESISTANCE AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas） 25 mJ 25 mJ 25 mJ 25 mJ 25 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 55 V 55 V 55 V 55 V 55 V
最大漏极电流 (ID) 16 A 16 A 16 A 16 A 16 A
最大漏源导通电阻 0.058 Ω 0.058 Ω 0.058 Ω 0.058 Ω 0.058 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-252AA TO-252AA TO-252AA TO-252AA TO-252AA
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e0 e3 e0 e3 e0
湿度敏感等级 1 1 1 1 1
元件数量 1 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED 260 260 260 260
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 64 A 64 A 64 A 64 A 64 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES YES
端子面层 TIN LEAD Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier TIN LEAD MATTE TIN OVER NICKEL TIN LEAD
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED 30 NOT SPECIFIED 30 NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
是否无铅 - 不含铅 含铅 不含铅 含铅
最大漏极电流 (Abs) (ID) - 16 A 16 A 16 A 16 A
最高工作温度 - 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C
最大功率耗散 (Abs) - 35 W 35 W 35 W 35 W

推荐资源

工程设计中关于电磁兼容实验室的一些知识

HT-1460电路

磁感应发射电路图

MCT2／MCT2E型光耦合器电路

大屏幕彩电交流输入电压自动转换电路图b

820e电脑主板电路图_61

如何实现SPWM算法呢
可否求一个例程能够参考一下，实在没头绪 ...
szc5b FPGA/CPLD
MSP430F4250到底能不能实现多道单次AD转换？？？
或者说MSP430F4250到底有没有其他SD_A通道？ 想做两路AD，可是配置寄存器时 1.MSP430x4xx user's guid 是放在一起的，在介绍SD16CCTLx寄存器第0位SD16GRP下面有一行小字：Reserved inMSP430F4 ......
shenlan0302 微控制器 MCU
问一个STM32TIM的问题？
问一下哪位朋友用过STM32F103RC 的片子的 我用TIM5做定时器时出错 老是跳进 void HardFaultException(void) { /* Go to infinite loop when Hard Fault exception occurs*/ while ......
ROCKLI202 stm32/stm8
用Verilog实现滑动平均
急求用Verilog语言实现的滑动平均的代码，还望大神不吝赐教！对于一组数据，看成一个队列，每采样得到一个新的数据就放入队列中，同时剔除队列中最开始进去的那个值，然后将这组数求平均输出！ ......
zhaohui FPGA/CPLD
simplicity studio咨询关于energy profile相关问题
使用AES加密算法进行能量采集时，自带的energy profile工具采集的时运行时秘钥扩展+加密+解密三个过程的能量消耗，请问我该怎么做才能让他只采集加密过程的能量消耗呢。...
new_one Silicon Labs测评专区
运算放大器TLC2262和TLC2264
运算放大器TLC2262和TLC2264TLC2262和TLC2264分别是TI公司双路和四路运算放大器，两种器件可以在单电源或双电源条件下供电，从而增强了动态的范围，可以达到轨对轨输出的性能。TLC226X系列与TLC ......
fighting 模拟与混合信号
器件捷径:   A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

热门器件

  1. 5SGXEA5N3F40I4N
  2. CH234AOV-AKD-BA
  3. BA07CC0WFP-E2
  4. P13NFE103MLB10
  5. GFA12245045100
  6. CT5Z-A0B1C2-32.768KD12.5
  7. 76020G-17D-2SC
  8. 2M804-004-00M6-23SA
  9. US1004FLT/R7
  10. A3961WVA-8P-N2
  11. A2504WV-18P
  12. A2547WV-9P-G30

开源项目推荐更多

  1. LT6656AIS6-2.5、2.5V 电压基准作为微功率稳压器的典型应用
  2. 0-30V 0-3A DC直流稳压电源电路
  3. ADP2114-EVALZ，评估板双输出，2 A 时为 3.3 V，2 A 时为 1.8 V，600 kHz 开关频率，脉冲跳跃使能
  4. 基于L6390和UltraFASTmesh™MOSFET的100W三相逆变器，基于FOC的三相永磁同步电动机驱动器的速度控制
  5. MIC4681 的典型应用：2A 峰值电流超级开关降压稳压器
  6. AM2F-0507SZ 7.2V 2 瓦 DC-DC 转换器的典型应用
  7. LTC6360 演示板驱动 LTC2367-18 18 位、0.5Msps SAR ADC
  8. LM2904VDMR2G 运算放大器函数发生器的典型应用
  9. 用于仪表的 24 位 ADC 数据采集系统
  10. ADR364A、4.096V 低功耗、低噪声精密电流源基准电压源的典型应用

热门活动更多

  1. 填问卷赢好礼 | 想学电源设计？来MPS小课堂！
  2. 【大家咋用AI的】版块上线啦~欢迎来聊聊你的AI开发经验，有好礼
  3. 【回帖赢50元京东卡】模拟电子与储能解决方案大讨论（4月新活动）
  4. 与Digikey得捷一起解锁【ADI 超紧凑型超低功耗边缘AI开发板MAX78000FTHR】超能力，Follow me第四季第1期报名中！
  5. DigiKey得捷应用探索站 | 模拟电子与储能解决方案
  6. 【有奖直播】TI 工业自动化与机器人功能安全解决方案线上研讨会
  7. 是德科技重磅新品发布会｜新一代无线测试利器VXT：开启 RF 与模拟 IQ 全链路测试
  8. 你晒单我买单2026第1期报名中，DigiKey得捷带您畅享好物！
  9. 装备焕新月：e络盟Multicomp Pro系列产品，小投入，大升级 ―― 装备焕新惊喜体验
  10. MPS 机器人模块设计大赛报名重磅开启，锻造硬实力，让想法照进现实！

热门文章更多

  1. mc9s08dz60 BootLoader基于bin文件
  2. 芯片加价率高达45倍，国家监管部门出手：罚款50万
  3. 生产周期缩短一倍！采埃孚发布电动车模块化eDrive套件
  4. 华为轮值董事长徐直军：2017年已经开始对6G研究投资
  5. OPPO Find X4 Pro设计专利：屏下前摄，后置方形副屏
  6. 指针万用表与数字万用表的比较
  7. LPC824-SPI接口
  8. STM32单片机最小系统设计

技术资料推荐更多

  1. STM8采集电压
  2. CN201510482294-LED恒流驱动电路及其控制方法
  3. 运用谐振触发方式的RSD脉冲电源
  4. 软考课程5天通关 网络工程师的5天修炼
  5. 电动力学 (郭硕鸿)
  6. 开关模式功率转换器设计与分析
  7. 电流模式变换器的建模、分析和补偿
  8. 逻辑综合重点解析（Design Compiler篇）
  9. 11种软件滤波算法
  10. 从STM32Cube库向标准外设库移植FatFs文件系统

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关： 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 673  1361  2486  2278  2137  33  38  36  13  26 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编：100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved