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RN2115,LF(CT

产品描述trans prebias pnp 50v 0.1W ssm
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小215KB,共8页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
标准  
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RN2115,LF(CT概述

trans prebias pnp 50v 0.1W ssm

RN2115,LF(CT规格参数

参数名称属性值
Datasheets
RN2114-18
Standard Package3,000
CategoryDiscrete Semiconductor Products
FamilyTransistors (BJT) - Single, Pre-Biased
系列
Packaging
Tape & Reel (TR)
Transistor TypePNP - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)2.2k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)10k
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce50 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max)500nA
Frequency - Transiti200MHz
Power - Max100mW
Mounting TypeSurface Mou
封装 / 箱体
Package / Case
SC-75, SOT-416
Supplier Device PackageSSM
Other NamesRN2115,LF(CBRN2115LF(CTTR

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RN2114 RN2118
TOSHIBA Transistor
Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor built-in Transistor)
RN2114, RN2115, RN2116, RN2117, RN2118
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit
and Driver Circuit Applications
Built-in bias resistors
Simplified circuit design
Fewer parts and simplified manufacturing process
Complementary to RN1107 to RN1109
Unit: mm
Equivalent Circuit and Bias Resistor Values
Type No.
RN2114
RN2115
RN2116
RN2117
RN2118
R1 (k )
1
2.2
4.7
10
47
R2 (k )
10
10
10
4.7
10
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
2 2H1A
Weight: 2.4mg (typ.)
Absolute Maximum Ratings
(Ta
=
25 C)
Characteristic
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
RN2114 to 2118
RN2114
RN2115
Emitter-base voltage
RN2116
RN2117
RN2118
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
RN2114 to 2118
I
C
P
C
T
j
T
stg
V
EBO
Symbol
V
CBO
V
CEO
Rating
50
50
5
6
7
15
25
100
100
150
55 to 150
mA
mW
C
C
V
Unit
V
V
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if
the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum
ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test
report and estimated failure rate, etc).
Start of commercial production
1994-08
1
2014-03-01

RN2115,LF(CT相似产品对比

RN2115,LF(CT RN2118MFV(TPL3) RN2117(T5L,F,T) RN2118(T5L,F,T) RN2116,LF(CT RN2115,LF(CB RN2114(TE85L,F) RN2115(TE85LF)
描述 trans prebias pnp 50v 0.1W ssm trans prebias pnp 150mw vesm TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM Small Signal Bipolar Transistor
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