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Datasheet> 器件分类 > 半导体> 分立半导体> BC182B_D26Z
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BC182B_D26Z

产品描述transistor npn 50v 100ma TO-92
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小27KB，共4页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
标准  
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BC182B_D26Z概述

transistor npn 50v 100ma TO-92

BC182B_D26Z规格参数

参数名称属性值
Datasheets
BC182B
Product Photos
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
Standard Package2,000
CategoryDiscrete Semiconductor Products
FamilyTransistors (BJT) - Single
系列
Packaging		Tape & Reel (TR)
Transistor TypeNPN
Current - Collector (Ic) (Max)100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic600mV @ 5mA, 100mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce40 @ 10µA, 5V
Power - Max350mW
Frequency - Transiti150MHz
Mounting TypeThrough Hole
封装 / 箱体
Package / Case		TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Supplier Device PackageTO-92-3

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BC182B
BC182B
NPN General Purpose Amplifier
• This device is designed for general purpose amplifier application at
collector currents to 100mA.
• Sourced from process 10.
1
TO-92
1. Collector 2. Base 3. Emitter
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25°C unless otherwise noted
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J,
T
STG
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
- Continuous
Storage Junction Temperature Range
Parameter
Value
50
60
6
100
- 55 ~ 150
Units
V
V
V
mA
°C
Electrical Characteristics
T
C
=25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Condition
I
C
= 2mA, I
B
= 0
I
C
= 10µA, I
E
= 0
I
E
= 10µA, I
C
= 0
V
CB
= 50V, V
BE
= 0
V
EB
= 4V, I
E
= 0
V
CE
= 5V, I
C
= 10µA
V
CE
= 5V, I
C
= 100mA
I
C
= 10mA, I
B
= 0.5mA
I
C
= 100mA, I
B
= 5mA
I
C
= 100mA, I
B
= 5mA
V
CE
= 5V, I
C
= 2mA
V
CE
= 5V, I
C
= 10mA, f = 100MHz
V
CE
= 10V, I
C
= 0, f = 1MHz
V
CE
= 5V, I
C
= 2mA, f = 1KHz
V
CE
= 5V, I
C
= 0.2mA
R
S
= 2KΩ, f = 1KHz, BW = 200Hz
240
0.55
150
5
500
10
dB
40
80
0.25
0.6
1.2
0.7
V
V
V
MHz
pF
Min.
50
60
6
15
15
Typ.
Max.
Units
V
V
V
nA
nA
Off Characteristics
V
(BR)CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
V
(BR)EBO
I
CBO
I
EBO
Collector-Base Breakdown Voltage
Emitter-Base Breakdown Voltage
Collector Cut-off Current
Emitter-Base Leakage Current
On Characteristics
h
FE
DC Current Gain
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
V
BE
(on)
Collector-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter On Voltage
Dynamic Characteristics
f
T
Current Gain Bandwidth Product
C
ob
h
fe
NF
Output Capacitance
Small Signal Current Gain
Noise Figure
©2003 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A, August 2003

BC182B_D26Z相似产品对比

BC182B_D26Z BC182B_J35Z BC182B-D26Z
描述 transistor npn 50v 100ma TO-92 trans bipo GP npn 50v TO-92 Transistor
Standard Package 2,000 2,000 -
Category Discrete Semiconductor Products Discrete Semiconductor Products -
Family Transistors (BJT) - Single Transistors (BJT) - Single -
系列
Packaging		 Tape & Reel (TR) Bulk -
Transistor Type NPN NPN -
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA 100mA -
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V 50V -
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 5mA, 100mA 600mV @ 5mA, 100mA -
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 10µA, 5V 40 @ 10µA, 5V -
Power - Max 350mW 350mW -
Frequency - Transiti 150MHz 150MHz -
Mounting Type Through Hole Through Hole -
封装 / 箱体
Package / Case		 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) -
Supplier Device Package TO-92-3 TO-92-3 -

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