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BC308BU

产品描述transistor pnp 25v 100ma TO-92
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小40KB,共5页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
标准
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BC308BU在线购买

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BC308BU概述

transistor pnp 25v 100ma TO-92

BC308BU规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
零件包装代码TO-92
包装说明CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压25 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)180
JEDEC-95代码TO-92
JESD-30 代码O-PBCY-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT APPLICABLE
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.35 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT APPLICABLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)130 MHz
Base Number Matches1

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BC307/308/309
BC307/308/309
Switching and Amplifier Applications
• Low Noise: BC309
1
TO-92
1. Collector 2. Base 3. Emitter
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25°C unless otherwise noted
Symbol
V
CES
Parameter
Collector-Emitter Voltage
: BC307
: BC308/309
Collector-Emitter Voltage
: BC307
: BC308/309
Emitter-Base Voltage
Collector Current (DC)
Collector Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
Value
-50
-30
-45
-25
-5
-100
500
150
-55 ~ 150
Units
V
V
V
V
V
mA
mW
°C
°C
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
STG
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A2, August 2002
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