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M5M416405DTP-7

产品描述EDO DRAM, 4MX4, 70ns, CMOS, PDSO24
产品类别存储    存储   
文件大小1MB,共25页
制造商Mitsubishi(日本三菱)
官网地址http://www.mitsubishielectric.com/semiconductors/
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M5M416405DTP-7概述

EDO DRAM, 4MX4, 70ns, CMOS, PDSO24

M5M416405DTP-7规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Objectid1164773754
包装说明TSOP, TSOP24/26,.36
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间70 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-G24
JESD-609代码e0
内存密度16777216 bit
内存集成电路类型EDO DRAM
内存宽度4
端子数量24
字数4194304 words
字数代码4000000
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织4MX4
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP
封装等效代码TSOP24/26,.36
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期4096
自我刷新NO
最大待机电流0.0005 A
最大压摆率0.09 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
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